[参考译文] LM25118-Q1：LM25118功率耗散

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/654960/lm25118-q1-lm25118-power-dissipation

器件型号：LM25118-Q1

您好！

我想知道如何计算 LM25118的功耗

这是我的估计值：

Pdiss = Pvcc +引脚+ Penable

Pvcc=(VIN-Vout)*(Qg_HO+Qg_LO)* fsw

PIN=VIN*Iq ，其中静态电流 Iq =10uA

Penable = I_EN*V_EN (on) I_EN=1uA

我仍然不知道如何准确估算 SS 引脚和 FB 引脚的功率耗散？？

此致

RANA

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2409930 points

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主要损耗在驱动器中、而您在 Pvcc 中得到了该驱动器。其余损耗可通过非开关 Ivin 计算、每数据表约为5mA。这些是内部逻辑损耗、所有电流都来自 VIN 引脚：VIN x IVCC = Vin x 5mA。此 IVCC 中包含 SS 电流。 FB 引脚内部几乎没有功耗、因为它在误差放大器的输入端具有非常高的阻抗。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2409930 points

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感谢您的支持。

此致、
RANA

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2409930 points

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一个校正：对于 PVCC、它应该是 VIN x (Qg_HO+Qg_LO) x FSW。驱动器电流由内部 VCC 稳压器提供、也来自 VIN、因此开关引起的总损耗为 VIN 乘以平均驱动器电流。

简而言之、IC 内部的总功耗为：

VIN x [ 5mA +(Qg_HO+Qg_LO) x Fsw ]

很抱歉造成混淆。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2409930 points

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您好！

在我的研究之后、我找到了另一个公式来计算为功率 MOSFET 的栅极电容完全充电所需的电流量。

IG = QG/t (TRANSITION)，其中 t (TRANSITION)=所需的转换时间(MOSFET 的吨)

使用上面提到的第一个公式，IG=QG *Fsw =28nC*275Khz=7.7mA

使用第二个公式 IG = QG/TR = 28nC/15ns = 1.86A 其中 TR = MOSFET 的上升时间

请确认我需要使用开关来计算栅极电流吗？

此外、在我的原理图中、我在 MOSFET 的栅极和 HO 引脚之间使用电阻= 4.7欧姆、我想计算该电阻的功率耗散。我需要计算 IG (avg)还是使用峰值栅极电流？

此致
RANA

0 admin 7 年多前

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0 admin 7 年多前

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7.7mA 是用于计算功率损耗的平均电流。 1.86A 是评估驱动能力所需的峰值充电电流。

您的4.7Ohm 栅极电阻器与内部驱动器共享损耗、因为它们是串联的。它大于内部驱动器阻抗(大约2 Ω)、因此它将在上面计算的值中占据较大的一部分。

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