[参考译文] BQ78350-R1：SMBus 上的数据闪存读取字节顺序不符合数据表

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/656336/bq78350-r1-data-flash-read-byte-order-on-smbus-not-according-to-datasheet

器件型号：BQ78350-R1
主题中讨论的其他部件：BQ76940、、BQSTUDIO

您好！

我正在实施一个监控系统、该系统从 BQ78350-R1 BMC (该 BMC 又连接到 BQ76940 AFE)读取数据。我需要从数据闪存中读取一些配置参数、数据似乎以大端字节序到达、尽管手册(sluubd3c)规定顺序为小端字节序。

从"Protections"块读取"CUV"设置时、请参阅随附的通信日志。它具有地址0x44CC、并从 BQ-Studio 配置为2850mV (0x0B22)。

这是预期的响应还是 BQ-Studio 错误配置 BMC 的风险(似乎不太可能)？

此致

伊曼纽尔·W

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2405780 points

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伊曼纽尔、您好！

好消息- bqStudio 按预期工作！ )

由于您正在读取 DataFlash，ManufacturerBlockAccess()命令的命令、存储器地址和存储器偏移部分是小端字节序，但返回的 DataFlashAccess()部分是从指定的存储器地址开始并以偏移量结束的二进制 blob。

由于二进制 blob 从特定存储器地址返回，直到指定的存储器偏移，因此 TRM ( http://www.ti.com/lit/sluubd3 )的表19-1中的数据闪存摘要将需要使用来确定二进制 blob 中包含的与其存储器位置相关的值。

当使用其他子类命令(DF 中没有偏移量的命令)时、对于要返回的数据结构、体验应该是 LE。

感谢您的报告-您绝对正确、为了清晰起见、应修改 TRM 中的措辞。

此致、
Bryan Kahler

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2405780 points

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您好、Bryan、

感谢您的全面快速响应。真是个好消息！ )

BR、

伊曼纽尔·瓦尔克韦斯特

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