您好！
我想了解降压转换器的工作原理、如第26页的电路所示。
使用合适的适配器、该芯片可以为电池充电高达10A。在我的情况下、我想用2.4A 为电池充电。假设我连接
此芯片输入的10 A 适配器。 然后、必须将电流转换为2.4A。降压转换器会将电流从10A 更改为2.4A
为了改变电流、芯片将使用连接到 Q4栅极的 HIDRV 引脚。 Q4的栅极将以高频率打开和关闭。
Q4导通和关断开关的结果是、电流会随着时间的推移而变小。 (PWM 控制)
如果 Q4关断、电感器将尝试通过电池进一步推动电流、然后通过 Q5的体二极管返回电感器。 当 Q4关闭时、Q5应该打开。 这意味着 Rdson 较低。 电感器电流
对 Q5的功率耗散没有影响。
因此、电流将始终流过电感器、到目前为止是很好的。
如果占空比很小、因此 Q4的栅极在一个周期内导通次数较少、则流经电感器的电流将变为0A、然后我们处于非连续导通模式。
我如何控制占空比、芯片本身是否做到了这一点？ 如何计算它？
我的意见：我是负责设定充电电流的人。 例如、我将充电电流设置为2.5A
因此、当我连接一个适配器时、该适配器可为芯片提供5A 的电源。 芯片将计算其占空比、以2.5A 而不是5A 运行充电过程
因此、我可以通过将适配器的总电流调节为充电电流来控制占空比。
在数据表中、它被写入："在 DCM 期间、当自举电容器电压降至4.2V 以下时、低侧 N 沟道功率 MOSFET 大约导通80ns、然后是低侧电源
MOSFET 会关断并保持关断状态、直到下一个周期开始时高侧 N 沟道 MOSFET 再次导通。 需要80ns 的低侧 MOSFET 导通时间来确保自举电容器
始终充电、并能够在下一个周期中使高侧功率 MOSFET 保持导通"
为什么我们应该确保自举电容器能够使高侧功率 MOSFET 保持导通状态？ 我是说、HIDRV-Pin 已经在打开 Q4 MOSFET、对吧？
我对降压转换器功能的理解是否正确？
