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您好！
2018年1月、TI 将 LM5113数据表从修订版 G 更新为修订版 H。除了标记为 NRND 状态外、还引入了一些新要求、这些要求对我在现场拥有的现有产品产生了严重影响。 请帮我了解以下更改吗？ 参考修订版 H 数据表"修订历史记录"部分。
-更改了第一页的关键图形：我用红色圈出了从修订版 G 到修订版 H 数据表的更改。 图像已附加。
-更改了功能方框图：我用红色圈出了从修订版 G 到修订版 H 数据表的更改。 图像已附加。
-在启动和 UVLO 部分添加了内容：我用红色圆圈显示了从修订版 G 到修订版 H 数据表的更改。 图像已附加。
问题1： 为什么进行此更改？ 是否发现内部自举二极管不足？ 我们一直观察到自举电容器(我们的应用中为1uF)在启动时没有充分充电、并且高侧栅极电压没有足够的电平位移来使我们的高侧 GaN FET (GS61008T)饱和。 如新修订的修订版 H 数据表中所示、当我们添加外部二极管和电阻器时、我们观察到的问题就会消失。 我们长期以来一直在寻找这个问题、这似乎是一个解决办法。
注意：虽然您对简化版应用图、功能方框图以及启动和 UVLO 部分进行了这些更改、但您尚未更新图18中"典型应用"电路中的此新要求。 如果这确实是一项新要求、也应该在应用电路原理图中进行更新、以避免客户混淆。
问题2：PN：LM5113-Q1是否还需要该外部电阻器+二极管？ LM5113-Q1是一款采用我们所需尺寸的新产品(10-WSON、我们希望避免使用新型 LMG1205的 DSBGA 封装)。 当前的 LM5113-Q1数据表中没有提到这一新要求。 这是否意味着不需要外部二极管和电阻器？ 或者、您是否未根据此新要求更新 LM5113-Q1数据表？
