[参考译文] TPS53355：输入电容器值

卡托、

对于 VDD、建议使用4.7uF 电容。

Kato-San、

EVM 和参考设计使用4.7uF。  我始终要考虑直流偏置效应以确保有足够的电容。  让我检查一下该设计使用的实际电容器是多少。  由于您为5V VDD 使用额定电压为16V 的电容器、我怀疑您将具有足够的实际电容。

TPS53355 EVM 是一种较旧的设计。  BOM 未为 VDD 电容器指定特定的器件型号。  它是一个4.7uF、25V、+/-20%、X5R 电容器。  符合该说明的电容器在5V 直流条件下的实际电容可能介于3和3.77 uF 之间。

我有一些其他信息。

EVM VDD 范围高达14V。 在14V 电压下、有效电容可能在1uF 至2uF 的范围内。  我不会让它低于1uF。

内部 LDO 会尝试将 VREG 电压调节至5V。 如果您在5V 电压下提供 VDD、则 LDO 输出将为 VDD - Vdropout。  当 VDD 低于 VREG (最大值)+ Vdo = 5.36 + 0.230 = 5.59V 时、您可能会看到输入纹波电压直接施加在 VREG LDO 输出上。  我建议将 VDD 电压升高到6V 而不是5V、或滤除纹波电压。

Kato-San、

我还有一些意见。   根据设计人员的输入，这是一个高电流器件，如果有效电容不够，它容易受到噪声的影响。  我没有备份数据来说明他们为什么选择4.7uF、但根据我过去在 Swordfish 方面的经验、由于不同温度范围下的过度抖动和高栅极驱动电流尖峰、我们不得不将 BP (VREG)电容增加到4.7uF。