This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ2060A:稳压引脚 J-FET 选择

Guru**** 2399305 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ2060A

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/650099/bq2060a-reg-pin-j-fet-selection

器件型号:BQ2060A

大家好、我正在尝试为过时的 SST113寻找一个替代 n-JFET、并且正在努力寻找有关 JFET 所需特性或电路 REG 部分工作原理的任何信息。

我只能确定 SST113/J113是"好"器件、MMBF4393是"坏"器件、但我无法确定关键标准是什么

希望您通过提供适用于此应用的 n-JFET 列表、或者至少提供验证和调试所需的 JFET 选择标准和操作理论、为我提供帮助。

非常感谢你的帮助。

此致

Alan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Alan:

    REG 引脚连接到 SST113 n 通道 JFET、用于控制从电池电位到 EVM 中 bq2060A 的 VCC 调节。

    此 FET 的关键标准将根据您的应用需求和电池电势而变化。

    之所以为 EVM 选择此 FET、部分原因是它可以(利用余量)适应(在宽温度范围内) 3.0V 至25V 的输入 PACK +至 PACK 电压范围。

    在此电路中、漏极连接到 PACK +、VCC 连接到源极、REG 连接到栅极。

    请确保为您的 FET 选择的 VGS 阈值符合您的设计。 请注意:在 EVM 中进行测试(RDS (ON)< 150欧姆、VGS (OFF)<-3V (10uA)时、JFET 的输出电压(由 REG 控制时)在正常模式下的范围为3.1至3.5V、在睡眠模式下的最大电压为4V、 通过 REG 至少1uA 的电流。

    在选择新的 JFET 时、请注意跨导曲线以及上述 VGS 阈值。 N 沟道 JFET 是"常开器件"、在栅极为0V 时向漏极施加足够正电压即可实现最大电流。

    此致、
    Bryan Kahler
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Alan:

    如果上述回答帮助解决了您的问题、请单击下面的"此解决了我的问题"按钮、以提高此回复对于可能有相同问题的其他人的查找能力。 谢谢!

    此致、
    Bryan Kahler