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您能否帮助查看以下两种 DDR 电源设计的设计：
DDR3L VTT：0.75V_VTT 连接到终端电阻器(~30个50 Ω 电阻器)
DDR4 VTT：+VCCO_PSDDR4_504=1.2V、+DDR4_VTT 连接到25个40欧姆电阻器
TPS51206：
将 VTTREF 电容(C283)更改为0.22uF。
在 VTT 上再添加一个10uF 电容器(或占位符)。
TPS51200原理图看起来不错。
BTW、参考设计可在数据表中找到。
谢谢
钱
