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器件型号：LM5060-Q1 主题中讨论的其他器件：DRV8301、 LM5060
您好！
我在学校的高级设计项目中使用 LM5060高侧保护。 我已将设置配置为分别具有大约20V 和60V 的 UVP 和 OVP。 对 PCB 进行完全组装后、当我为电路板加电并达到 UVP 阈值时、连接到 LM5060栅极引脚的 FET 会导通、电路板加电正常。 当我达到55V-60V 左右时、电路板会关闭。 然而、在循环测试 UVP 和 OVP 的过程中、通过从低于 UVP 增加到高于 OVP 限制并从 OVP 下降到 UVP 限制来多次测试、LM5060最终在达到 OVP 限制和...时失败 嗯、魔术烟。 然而、当电路板被部分组装时(基本上只有无负载的高功率侧)、我已经测试了我的高侧电源保护、而 LM5060从未出现故障。 我以为我的电路的其他部分有故障、但却找不到任何东西来证实我的怀疑。 我认为、故障的实际原因可能是 MOSFET 在 OVP 限值下快速关断时的电压瞬变。 我认为、在没有负载时它没有发生故障的原因是当我组装电路板的其余部分时、电流比电流负载更高时、电流更低。 我完全组装的电路板基本上只有 F28035 piccolo MCU、几个运算放大器、CAN 收发器、DRV8301电机驱动器和 RS 232通信硬件。 组装电路板时的负载电流非常低、远小于0.5安。 在如此小的电流下、是否有可能出现会导致 LM5060失效的 dv/dt 瞬变？ 此外、FET 会在发生故障时将源漏短路。 我附加了一张我的远程信息处理图片(注意：由于 FET 栅极充电时间延迟过长、R13和 C11已被移除)。 感谢你的帮助。
