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大家好、我想问一些与 LDO 压降电压相关的问题。
我发现、大多数 TI LDO 产品都包含 PMOS MOSFET、因为它具有更低的接地电流和更低的压降电压。
MOSFET 具有比 BJT 更低的接地电流这一事实是有道理 的、因为栅极节点不消耗太多电流、而 BJT 则消耗基极电流。
但是、为什么 MOSFET 的压降电压低于 BJT？
您知道、BJT 可以驱动更大的电流、因为电流会以指数方式增加到 VCE。 但 MOSFET 具有 VDS 功能。
因此、我认为 BJT 导通电阻似乎比 MOSFET 更低、因为它驱动的电流更大(R=V/I)。
从压降电压的角度来看、PMOS 优于 BJT 是不利的。
请帮帮我。
