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器件型号：TPS40322 您好！
我使用 TPS40322构建具有两个输出的降压演示。
输入：5V
输出1：4V/22A
输出2：3V/22A
我根据 TPS40322EVM-679设计电路和布局
我将高侧降压 MOSFET 和低侧 SR MOSFET 的 MOSFET 更改为 AP2606CMT。
VBDS:25V
RDS_ON：0.8m Ω
ID：280A
QG：75nC
Qgs：13nC
Qgd：38nC
当我为演示加电时、我发现高侧降压 MOSFET 过热。
环境温度为25C、输出为5A、高侧 MOSFET 为60C、
环境温度为25C、输出10A、高侧 MOSFET 将达到100C
我检查了栅极波形。
对于低侧 MOSFET、上升时间为80ns、下降时间为20ns
对于高侧 MOSFET、上升时间为100ns、下降时间为80ns。
此外、高侧栅极振幅为4V、比 Vcc 低1V。 是不是因为自举二极管的 VF？
我的演示将在静止空气自然对流中工作。 没有风扇用于冷却。
如何冷却高侧降压 MOSFET？
如果我添加驱动器 IC 以增强驾驶能力、是否起作用？
