This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS40170:MOSFET 优化的 J/K 方法

Guru**** 2337870 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS40170
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/610072/tps40170-j-k-method-for-mosfet-optimization

器件型号:TPS40170

我一直在尝试为 TPS40170复制数据表上的 J/K 方法、并且很难获得与数据表上相同的结果。

我已经在 e2e.ti.com/.../376860上查看过这篇文章

我找到了相同的 Idrive =(Vgate - Vth)/(Rdrive + Rgate)等式、我在前面提到的、即使用 Vgate = 8V 的 post 文章中看到了答案、 Rdrive = 2.64欧姆、然后是 EVM 中另外两个的值、Vth = 3.0V、Rgate = 1欧姆。 (我不能完全理解为什么这样做)

数据表中给出的其他参数为 Vin = 24V、Iout = 6A、Vout = 5V、Fsw = 300kHz

我还了解 IP-p 是电感器峰峰值纹波电流。

我不明白高侧和低侧 FET 的 VDrive 值或 Qg/GSW 比来自何处。 此外、我不确定如何找到用于计算 J 值的低侧 FET 的 VFD。

如果您能帮助我了解这些值的来源或计算方式、以便我验证数据表中给出的值、这将对我的设计尝试使用不同参数集的方法大有帮助。

谢谢、

Ryan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我已要求我们的一位有关此器件的专家帮助回答您的问题
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Ryan,

    J/K 方法是为您的开关应用选择合适 FET 的简单方法。 以下是它们的派生方式。  

    如上文 Qsw= Qgd+Qgs/2文档中所述(近似值) 另外,Qg 是栅极电荷总量。  

    Vf 是 FET 的体二极管压降 (近似为0.6V)。

    ----阿姆布雷什