TPS22810的压摆率能否调整为比数据表上升时间表2中显示的值长得多? 在18V 时、最长的值约为8ns
在我的应用中、我需要在不小于100ms 的时间内将0至15V 的电压转换。 如果 TPS22810不是适合这种情况的器件、是否有 TI 器件?
哇
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您好、您好!
在该上升时间、来自10uF 电容的浪涌电流可以忽略不计、因此功率耗散问题与标称负载电流有关。 当开关首次尝试导通时、FET 的电阻会减小、直到输出开始上升。 此时、如果负载处于活动状态、则开关会看到从 VIN 到 VOUT 的完全压降、并且负载电流能够通过器件。 随着 VOUT 增大、VIN 和 VOUT 之间的电压差会减小、因此功耗也会降低。
由于功耗是这里的主要考虑因素、由于热性能提高、我建议使用 DRV 封装而不是 DBV 封装。 假设采用该封装、让我们看看不同的情况:
此设计需要考虑两个因素:负载电压和环境温度。 在高环境温度下、器件在不发生热关断的情况下处理这些情况将变得更加困难。 我的意思是"负载电压"是导致负载电流被拉取的负载上的电压。 上述情况假设负载上的任何电压都会导致电流消耗。
最后、评估此处器件性能的最佳方法是获取 EVM、修改 CT 电容 并连接您尝试为其供电的负载。 如果您在示波器上监控输出、则可以查看波形并查看其是否可用于您的应用。
谢谢、
Alek Kaknevicius
再次感谢、Alek。 这都是很好的信息、您为我节省了很多麻烦、并帮助我避免做出错误的假设。
100ms 上升时间至15V 时的计算得出的压摆率为150V/s 或0.00015V/us。 使用数据表第9.3.4节中的 CT = 46.62/SR、我得到 CT = 310 800 pF 或311 nF。 这似乎是一个公平的值(不是微法拉或飞法拉等极端值)。
散热问题让我有点担心、我会采纳您对 EVM 的建议。
这里也欢迎您提出任何其他建议。
此致、
哇