This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/650339/tps61170-temperature-characteristics-of-output-voltage
您好！
您能告诉我 TPS61170输出电压的温度特性吗？
当 Vout = 36V 时、是否有测量数据显示数据表 P.7图3中所示的输出电压的温度特性？
如果没有任何内容、我是否可以将其视为数据表 P.7图3中的某个错误(当 Vout = 36V 时)？
此致、
YUto Sakai
萨凯-圣、
对于差分温度下的同一器件、变化非常小、 输出电压仅变化约0.3%、如12V 输出条件中所示。
但批次间差异由 Vref 容差决定。 因此、对于一个器件、变化非常小、但对于不同批次、变化与 Vref 容差相同。
您好、Helen San、
是否可以认为、即使在输入电压= 3.3V、输出电压= 36V、输出电流= 20mA 的条件下、温度波动引起的变化也约为0.3%？
感谢你的答复。
让我再问一个问题。
在同一芯片上设置为低温(Ta = 25°C)时、输出电压是否较小？ 还是更大？ 当您℃高温(Ta=80 μ F)时会发生什么情况？
我想知道输出电压是如何因 Ta-25°C→80°C 的温度波动而波动的
请注意、
当 我们的客户进行测量时、输出电压的幅度为 Ta =-40°C > 25°C > 80°C
您能告诉我图3中的测量条件吗？
考虑是否存在差异、具体取决于是否仅针对 IC 更改了环境温度
或者温度发生变化、包括电感器等外围器件。
很抱歉让你一直在犹豫。
从角度而言、输出电压也与负载和测试方法相关。 数据表上的曲线只是典型曲线。 但并非所有 IC 都具有相同的曲线、所有负载条件都具有相同的曲线。
为什么它们如此关注不同温度下的输出电压？这不是一个关键参数。 批次间的 Vref 变化比不同温度下相同硅酮的 Vout 变化大得多。
