[参考译文] CSD13202Q2：我应该期望压降是多少？

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器件型号：CSD13202Q2

您好！

我正在完成一个电路设计、我想知道对于这个 MOSFET、我应该期待什么样的压降。我计划将此 MOSFET 用作开关、以关闭电路中大多数 IC 的电源。我之所以选择该 MOSFET、是因为其具有低 RDS。系统电压将~2.85V (栅极也将使用该电压驱动)、最大功耗将为~300mA。

我的系统其余部分应该看到哪种压降？这是适用于该应用的最合适的产品吗？如果不是、理想情况是什么？

谢谢、

Daniel

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 1810550 points

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Daniel：
压降取决于提供给 FET 的栅极电压。如果 FET 完全增强、压降应该相对较小。

因此、假设最坏情况下的电阻为2.5V 11.6m Ω、电流为300mA、您将看到的最高 VDS 压降为0.3*11.6E-3= 3.48mV。

这个应用看起来功耗相对较低、因此我认为这个 MOSFET 不起作用的原因是没有的。

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