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您好！
我正在完成一个电路设计、我想知道对于这个 MOSFET、我应该期待什么样的压降。 我计划将此 MOSFET 用作开关、以关闭电路中大多数 IC 的电源。 我之所以选择该 MOSFET、是因为其具有低 RDS。 系统电压将~2.85V (栅极也将使用该电压驱动)、最大功耗将为~300mA。
我的系统其余部分应该看到哪种压降？ 这是适用于该应用的最合适的产品吗？ 如果不是、理想情况是什么？
谢谢、
Daniel
Daniel： 压降取决于提供给 FET 的栅极电压。 如果 FET 完全增强、压降应该相对较小。 因此、假设最坏情况下的电阻为2.5V 11.6m Ω、电流为300mA、您将看到的最高 VDS 压降为0.3*11.6E-3= 3.48mV。 这个应用看起来功耗相对较低、因此我认为这个 MOSFET 不起作用的原因是没有的。
