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尊敬的先生:
我想重新设计 TI SLVU301.pdf (TPS23754EVM-420 EVM)的反激式 POE 电路。
Vout=5V => 12V,fsw=250kHz => 480KHz,您能告诉我组件需要倒角的位置吗?
BRS、
刘高德
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尊敬的先生:
我想重新设计 TI SLVU301.pdf (TPS23754EVM-420 EVM)的反激式 POE 电路。
Vout=5V => 12V,fsw=250kHz => 480KHz,您能告诉我组件需要倒角的位置吗?
BRS、
刘高德
大家好、Gordon、
L3和 L4是铁氧体磁珠、有助于抑制 EMI。 300欧姆是特定(高)频率下的峰值阻抗、用于减轻 EMI。 我建议查看其数据表上的阻抗曲线。 此外、直流电阻较低、因此可将效率影响降至最低。 我建议查看测试报告中的效率图、因为它显示了高总体效率(使用 PoE 时为88-89%)。
2.我建议查看下面的应用手册。 这详细介绍了如何设计二极管整流反激式转换器、包括组件计算。 这将让您了解哪些组件需要更改以实现更高频的转换器。 请注意、为了提高效率、我们发现优化了~250kHz、而对于更高的频率、您可能会有更多的开关损耗。
PMP11254使用 RCD 钳位来钳制变压器漏电感产生的初级 FET 尖峰。 请注意、您还可以使用串联栅极电阻降低初级 FET 的速度。 最后、EMI 也取决于布局。 请参阅以下详细介绍这一点的应用手册。
尊敬的先生:
感谢您的回答。
首先、slva305c.pdf 是适用于反激式拓扑的出色设计文档。
我已经重新计算 了 slva305c.pdf 的 evry 分量、但 在 Cctl 上没有得到相同的结果。
我想这是 由图像部件问题 Imps (2.9.2)引起的。
KMPs=4.66; W_rhpz=133904 (21322Hz)、W=34540 (5500Hz);Imps=KMPs(1-WJ/ W_rhpz)。
我能否将 实数部分+图像支持合并 到 幅度中?
然后、您能否 为正向拓扑提供类似的文档?
BRS、
刘高德
尊敬的先生:
感谢您的快速回答。
我尝试计算 Slva305C.pdf 的 equation-38 (CCTL)、但我不起作用。
请检查我的值设置、哪一个是错误??
R_ctl=2000;R_ob=405;CTR_2mA=0.84; Kctl=2;GMO =0.65;
MPF (w)=0.886;
IMPS_w=4.81 (幅度);KMPs=4.66;w=34540 (5.5KHz);w_rhpz=133904 (21.3KJz);
Zout=0.18; Rload=1.53欧姆;COout1=47uF;COout2=87uF;Z_COout1 (w)=0.615; ZCOout2 (w)=0.33