[参考译文] LM5050-1：想知道 Vgs 电压是否过低

还有一个问题、Vin 悬空时栅极是否悬空？ 但斯克有很多！！

尊敬的 Ann Lien：

在 MOSFET 的栅极与 GND 之间连接一个电阻器将消耗栅极充电电流。
LM5050器件的栅极充电电流为30uA、现在、如果您有150k 电阻器、20V 输入电压、则可能会泄漏133uA 电流。
如果您连接150k 电阻器、甚至可能无法打开栅极。

移除150k 电阻后进行的测量结果均适用于 MOSFET PE5E6BA N-MOSFET。

当 Vin 保持悬空时、GATE 在 VIN 和 GATE 之间有一个内部钳位二极管、阳极连接到 Vin、阴极连接到 GATE。
这将不允许栅极电压超过 VIN。

此致、
Kari。

Karikalan、您好！

让我再次确认。 我们在没有带 GATE 的下拉电阻器的情况下进行了测试、结果如上一个线程所示。 栅源电压大约为1V~3V，这是正常现象。 我是对的吗？ 非常感谢！！

此致、
Ann Lien

Karikalan、您好！

我可以有更新吗？ 非常感谢！！

此致、
Ann Lien

尊敬的 Ann Lien：

是的、在63W 满负载时、负载电流为3.15A。 在 MOSFET PE5E6BA 的这种电流下、我们预计 Vgs 为4V。
在15W 负载下、我们预计 Vgs 为3.75V (负载电流0.75)。

MOSFET 对于该应用似乎是过大的、因此即使在最大负载电流下、我们也能看到低栅极电压。

此致、
Kari。