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[参考译文] BQ25703A:将 bq25703a 用作唯一的电池充电站(没有系统输出等)

Guru**** 2546020 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/734785/bq25703a-using-bq25703a-as-only-battery-charging-station-there-is-not-system-output-etc

器件型号:BQ25703A

您好!

我正在设计锂离子电池充电站(适配器始终开启)、用于为2节串联锂离子电池充电。  电池将连接以充电。 充电完成后、客户将取出电池。 顺便说一下、电池具有用于保护的 BMS。

化学/电池:锂离子/2系列

充电电压:8.4V

最大 充电电流:1.4a

适配器:始终打开

我对此设计有一些问题。 请提供您的评论。

1 -我将不使用系统输出。 这就是我不需要任何系统输出的原因。  由于  电路板空间和价格、我希望减少 bq25703A 的外部组件。  请告诉我,是否可以删除 BATFET (P 通道)?  我可以为 BAT 输出使用输出电容器。

我知道:  

'如果电荷被禁用、转换器将 VSYS 引脚电压调节至比 VSRN 高160mV 左右。 如果没有 BATFET、则 VSYS 几乎 短接至 VSRN、VSYS 无法满足 VSRN+160mV 设定值。 因此、转换器将继续将 VSYS 推高、直到触发 OVP 或其他保护。"

如果有任何机会或建议、请告诉我。  

2-我将移除 EVM 中 Q12的 Cell_Control MOSFET (SLUUBG6)。 有问题吗?
3 -我不需要 OTG 功能。 这就是为什么、我可以移除哪些组件? EN_OTG 引脚将打开(未连接)、是否正确?
4-您对 IADPT 有何建议? 是否删除?
5 -  EVM 中有 U2 (LM3480IM3-3.3/NOPB)低压降线性稳压器。 我应该需要3.3V 输出吗? 能否使用 VDDA、适配器等 ?  
6-请在数据表中检查 bq25703a 的典型应用。  是用于2节电池吗?不是吗? 我已经看到 CELL_BATPRESZ 引脚为350k 和250k。 但 EVM 中的值不同。 请为我提供适用于2节4节锂离子电池应用的 CELL_BATPRESZ 的正确电阻值、以确保正确。
谢谢你。
 
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    嗨、Ndd、

    1) 1)充电器需要外部 PMOS BATFET。 正如您所引用的、这是由于 VSYS 在充电期间被禁用至 VSRN + 160mV。 由于 VSRN 和 VSYS 基本上通过10m Ω 感应电阻器短接、因此控制环路会继续向输出注入电流、直到 VSYS 达到其 OVP 阈值。

    2) 2)您可以移除该 FET。 这在 EVM 中供客户验证电池存在检测的功能。

    3) 3)如果您不使用 OTG 模式、请将此引脚拉至接地。 请勿将其保留为无连接。

    4) 4) IADT 引脚电阻器是正确控制转换器所必需的。 请按数据表的表3中列出的规格进行调整。 这为转换器提供了有关电感器值所需的信息。

    5) 5)这也不是必需的。 您可以使用任何其他可用的电源轨、但请考虑您将放置上拉电阻器的引脚的绝对最大额定电压。

    6) 6)对于2S 配置、您可以使用120kOhm (上部)和100kOhm (下部);对于4S 配置、您可以使用42kOhm (上部)和100kOhm (下部)电阻值。 但是、只要您坚持数据表表表1中列出的电压百分比、这可以是您喜欢的任何值。


    此致、
    Joel H
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    您好!

    请告诉我。

    1) 1)谢谢。 能否从系统输出中移除电容器? 你有什么建议? BAT 输出是否需要像系统输出那样的电容器?

    2) 2)谢谢。

    3) 3)好的、谢谢。 我要将该引脚下拉至 GND 100欧姆还是0欧姆? 你有什么建议?

    4) 4)谢谢。

    5) 5)谢谢。 我希望使用 REGN 引脚并通过分压器提供3.3V 输出、对吧? 哪一个更好、VDDA 或 REGN 更好? (我将使用3.3V 电源为 SCL、SDA、CHRG_OK 等供电。)

    此外,我不确定 REGN 输出的电压电平(6V 或6.5V?)。是否可以向我提供有关 REGN 输出的信息?

    6) 6)谢谢、现在还可以。

    此外:

    7) 7)关于输入电流限制(ILIM_HIZ):

    我想将4A 或3A 设置为输入电流限值、我知道对于4A 输入电流限值 Vılım μ hız 引脚应为2.6V、 对于3A 输入电流限值 Vılım μ hız 引脚应为2.2V。

    当我检查 EVM 时、我看到 ILIM_HIZ 引脚有383k 和220k 电阻器。 输入电流限制(Idpm)在 EVM 原理图中显示为6A。

    Vilim_HIZ = 1V + 40 x Idpm x RAC

    Vilim_HIZ = 1V + 40 x 6A x 0.01 Ω

    Vilim_HIZ = 3.4V

    看起来不错、但当我不确定分压器时。 Vilim_HIZ = VDDA x [(220k)/(220k+383k)] 。 VDDA 应为9.32V。 有可能吗?

    您能不能向我推荐分压电阻器的值。 我不确定是因为我在上面提到过 VDDA。

    8) 8) 我不确定 PROCHOT? 这对我的系统很重要吗? 您对此有何建议?

    9) 9)能否通过电子邮件将原理图文件发送给您进行检查?

    谢谢你。

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    您好、

    1) 1)转换器绝对需要 SYS 和 BAT 上的电容器。 为了使降压转换器正常运行、SYS 上需要使用它们、并且 LDO 充电模式也需要在 BAT 上使用它们、以使其保持稳定。

    3) 3)两种工作方式。 您可以直接将其连接到模拟接地网/线迹、而无需使用电阻器。

    5) 5)我对这一个有了更多的想法。 VDDA 与 REGN 的电压相同。 数据表规定、必须通过10 Ω 电阻器将其连接到 REGN。 实际上、您会得到相同的引脚。 我相信您可能需要一个外部 LDO 来驱动您的上拉电压轨。 REGN 电压的问题是其在整个输入电压范围内的电压范围。 内部 REGN LDO 在较低输入电压下以压降运行、导致其摆幅低于6V、而在较高电压下为最大值6V。 如果您的分压器能够承受此范围(从3.8V 到5V)、则可能无法承受、但最好使用外部器件从 SYS 或 BAT 创建此电源轨。

    7) 7)我不确定您从 EVM 原理图中选择6A 的位置、但根据典型的 VDDA 电压(连接到 REGN 时、LDO 未处于压降状态)、该电压为6V。 通过计算可以看出 ILIM_HIZ 电压大约为2.18V。 这将产生~3A 的典型电流限制。 对于您的应用、您正确的是 ILIM_HIZ 上的2.2或2.6V 电压将分别产生3A 或4A 电流。 如果您打算使用外部 ILIM 功能、则电阻分压器应反映此情况。 另请注意、这可以在寄存器中禁用、并且您可以选择仅使用 IINDPM 的寄存器设置。 如果您确实决定使用外部 LDO、则还可以选择使用与建议使用的外部 LDO (5)相同的 LDO。

    8) 8) nPROCHOT 仅在您希望充电器报告不同可编程阈值之间的严重过载问题以便降低反向电流时才对您的系统有用。 如果您的系统将拉取其所需的任何电流(高达电流限制)、您可以忽略此引脚。 它专为 Intel 处理器设计、旨在强制处理器重新控制进程并降低功耗。

    9)没关系。 我将向您发送一封私人电子邮件。


    此致、
    Joel H
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    您好、Joel、

    首先、感谢您的关注。

    1)我不会(从不)使用系统输出、因此我认为系统输出不需要使用大量电容器。 可能我可以在 Q2和 Q3之间使用2个电容器。 您对此有何看法? 有必要吗?

    9) 9)我已向您发送电子邮件。

    谢谢你。

    此致、
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    嗨、Ndd、

    我没有收到您的电子邮件。


    此致、
    Joel H
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    嗨、Ndd、

    原理图对我来说看起来很好。


    此致、
    Joel H