[参考译文] BQ25703A：将 bq25703a 用作唯一的电池充电站(没有系统输出等)

嗨、Ndd、

1) 1)充电器需要外部 PMOS BATFET。 正如您所引用的、这是由于 VSYS 在充电期间被禁用至 VSRN + 160mV。 由于 VSRN 和 VSYS 基本上通过10m Ω 感应电阻器短接、因此控制环路会继续向输出注入电流、直到 VSYS 达到其 OVP 阈值。

2) 2)您可以移除该 FET。 这在 EVM 中供客户验证电池存在检测的功能。

3) 3)如果您不使用 OTG 模式、请将此引脚拉至接地。 请勿将其保留为无连接。

4) 4) IADT 引脚电阻器是正确控制转换器所必需的。 请按数据表的表3中列出的规格进行调整。 这为转换器提供了有关电感器值所需的信息。

5) 5)这也不是必需的。 您可以使用任何其他可用的电源轨、但请考虑您将放置上拉电阻器的引脚的绝对最大额定电压。

6) 6)对于2S 配置、您可以使用120kOhm (上部)和100kOhm (下部)；对于4S 配置、您可以使用42kOhm (上部)和100kOhm (下部)电阻值。 但是、只要您坚持数据表表表1中列出的电压百分比、这可以是您喜欢的任何值。


此致、
Joel H

您好、

1) 1)转换器绝对需要 SYS 和 BAT 上的电容器。 为了使降压转换器正常运行、SYS 上需要使用它们、并且 LDO 充电模式也需要在 BAT 上使用它们、以使其保持稳定。

3) 3)两种工作方式。 您可以直接将其连接到模拟接地网/线迹、而无需使用电阻器。

5) 5)我对这一个有了更多的想法。 VDDA 与 REGN 的电压相同。 数据表规定、必须通过10 Ω 电阻器将其连接到 REGN。 实际上、您会得到相同的引脚。 我相信您可能需要一个外部 LDO 来驱动您的上拉电压轨。 REGN 电压的问题是其在整个输入电压范围内的电压范围。 内部 REGN LDO 在较低输入电压下以压降运行、导致其摆幅低于6V、而在较高电压下为最大值6V。 如果您的分压器能够承受此范围(从3.8V 到5V)、则可能无法承受、但最好使用外部器件从 SYS 或 BAT 创建此电源轨。

7) 7)我不确定您从 EVM 原理图中选择6A 的位置、但根据典型的 VDDA 电压(连接到 REGN 时、LDO 未处于压降状态)、该电压为6V。 通过计算可以看出 ILIM_HIZ 电压大约为2.18V。 这将产生~3A 的典型电流限制。 对于您的应用、您正确的是 ILIM_HIZ 上的2.2或2.6V 电压将分别产生3A 或4A 电流。 如果您打算使用外部 ILIM 功能、则电阻分压器应反映此情况。 另请注意、这可以在寄存器中禁用、并且您可以选择仅使用 IINDPM 的寄存器设置。 如果您确实决定使用外部 LDO、则还可以选择使用与建议使用的外部 LDO (5)相同的 LDO。

8) 8) nPROCHOT 仅在您希望充电器报告不同可编程阈值之间的严重过载问题以便降低反向电流时才对您的系统有用。 如果您的系统将拉取其所需的任何电流(高达电流限制)、您可以忽略此引脚。 它专为 Intel 处理器设计、旨在强制处理器重新控制进程并降低功耗。

9)没关系。 我将向您发送一封私人电子邮件。


此致、
Joel H

您好、Joel、

首先、感谢您的关注。

1)我不会(从不)使用系统输出、因此我认为系统输出不需要使用大量电容器。 可能我可以在 Q2和 Q3之间使用2个电容器。 您对此有何看法？ 有必要吗？

9) 9)我已向您发送电子邮件。

谢谢你。

此致、

嗨、Ndd、

我没有收到您的电子邮件。


此致、
Joel H