[参考译文] LMG1210：数据表讨论了如何将同步整流器用于自举二极管。 哪一个以及如何连接它？

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/741813/lmg1210-the-datasheet-talk-about-using-a-synchronous-rectifier-for-the-bootstrap-diode-which-one-and-how-to-connect-it

我有关于 LMG1210的技术问题。

数据表中编写了(第9.2.2.2节"自举二极管选择")："对于低侧 FET 导通时间小于20ns 的极低情况、TI 建议将小型 GaN FET 用作同步自举、而不是二极管。 在这种情况下，TI 建议... 将同步自举的源极直接连接到 VDD。"

我理解这一部分、因此我用 GaN FET 替换了二极管、并将 FET 的源极连接到 VDD、漏极连接到电容器、栅极连接到源极。 我只使用 FET 的(非常快)体二极管、对吧？

但当我这么做时(使用 EPC 的 GaN FET)、高侧开关的最大电压约为3.3V、这是由体二极管的反向漏源特性导致的。 或者我是否理解了错误？

您是否以电路为例？ 还是 GaN FET、您使用它测试了 LMG1210的自举电路？

我想将 LMG1210与 EPC 的 EPC2111 GaN 半桥配合使用。