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[参考译文] BQ27421-G1:修改 OpConfig 寄存器的 BATLOWEN 位时出现问题

Guru**** 2538930 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/739289/bq27421-g1-issue-in-modifying-batlowen-bit-of-opconfig-register

器件型号:BQ27421-G1
主题中讨论的其他器件:BQSTUDIO

您好!

我将在我们的设计中使用 BQ27421-G1A 电量监测计。 我能够 通过 I2C 通过微控制器对基本电量监测计寄存器(设计容量、设计能耗、端接电压和锥率)进行编程。  

我想使用电池低电平功能、为此我需要修改 OpConfig 寄存器的 BATLOWEN 位。  

当我想读取 OpConfig 寄存器时、总是会出现错误。 我遵循了用于更新基本寄存器的相同过程。

您能不能帮助我如何通过提供该寄存器的基址和偏移量来修改该寄存器。 指出我是否缺少任何内容。

谢谢、此致

Vidyasagar

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    您好、Vidyasagar、

    选择监测计后、您需要安装 bqStudio 并从菜单中选择 bq27421。 然后转至数据存储器以获取所需任何参数的地址。

    谢谢
    Onyx
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    你好、Onyx

    如果您还记得我在将电路板(具有电量监测计)与 bqstudio 连接时遇到问题、但我能够通过 I2C 与电量监测计通信。
    我能够通过 MCU 的 I2C 对4个基本寄存器进行编程。 我们面临的唯一问题是无法修改 OpConfig 寄存器的 BATLOWEN 位。

    我只想请您为我提供修改 OpConfig 寄存器所需的基址及其偏移量。 不要让我看看这里和那里。 我尝试过最好的、但从 TI 提供的文档中未成功。 请帮助。

    谢谢
    Vidyasagar

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    您好,Vidyasagar

    如果您仔细阅读我的陈述、您会发现我从未提到过将您的电路板连接到 bqStudio。 您只需从菜单中选择 bq27421即可。 我向您展示了如何执行此操作、以防您需要修改其他参数、这样您就知道如何查找他们的地址、而不是返回论坛进行咨询。 请参阅下面的片段... 它显示了子类 id、数据长度、块编号和块偏移、如果需要修改任何参数、这些都是您所需要的。

    谢谢

    Onyx

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    您好、Onyx、

    我误解了你的发言。 感谢您分享该片段。

    从您共享的代码段中、我看到 OpConfig 寄存器的基子类 ID 为0x40、块偏移为0。 这些值与访问该寄存器之前使用的值相同、但无法读取该寄存器。 因此、我将解释我们遵循的流程、以便您可以帮助我们解决该问题。

    我们基本上遵循了 BQ27421电量监测计技术参考指南 PAG-14中提供的程序。 已附加相同的快照以方便参考。

    完全按照上述步骤更新设计容量、设计能耗、端接电压和锥率、我们取得了成功。  

    在第11步之后、我们立即发送以下命令来读取 OpConfig 寄存器

    WR 0x3E 0x40;//写入子类 ID

    WR 0x3F 0x00;//写入块偏移

    RD 0x60 OLD_CSUM;//读取旧校验和

    RD 0x40 OPCONFIG_LSB; //我们收到错误-无法读取

    RD 0x41 OPCONFIG_MSB;//We 收到错误-无法读取

    让我知道导致问题的原因。 如果我们缺少任何内容、请补充

    谢谢

    Vidyasagar

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    >在第11步之后,我们立即发送以下命令以读取 OpConfig 寄存器

    在步骤11之后、请等待至少10ms、以完成测量仪表的内部数据传输。 当您写入正确的校验和时、监测计会将块数据从临时缓冲区复制到数据存储器。 在这段时间内它不会 ACK。

    为了避免这一问题、TI 的.gm.fs 文件在每个校验和写入命令之后都有一个 X:10行。