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器件型号：TLV62585 尊敬的 TI：
我使用的是 TLV62585、在补偿设计方面遇到了问题、我的设计组件如下：
输入3.3V、10uF 电容+ 100nF
输出0.85V，10uf +22uf +100nF，无 CFF
分频电阻器：R1 200K、R2 475K
我得到了上面组件的床 PM (26度)/gm (-4.5dB)结果。
有一些问题：
1. TLV62585 内部补偿电路的补偿类型是什么？ II 型还是 III 型？
2.您对 TLV62585 EVM 有任何 PM/GM 测试结果吗？
3.我将分频电阻更改为37K 和91K，PM 将增加到5倍，GM 仍然失败(-5.XDB)，我不知道为什么？ 分频电阻是零还是极点？
谢谢！
