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[参考译文] BQ25708:我的设计板效率极低,bq25708和 mos 过热!

Guru**** 2535750 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25708

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/740049/bq25708-my-design-board-have-very-low-efficiently-the-bq25708-and-mos-is-too-hot

器件型号:BQ25708

您好 TI 工程师:

      我的    !板,使用 bq25708为1S3P 18605电池充电,现在发现充电器效率极低,bq25708和 MOS 过热

      我在 cc 模式下使用电池进行测试。  并且没有系统负载

      当设置充电电流(0x14)= 4A 时、 实际输入电压为19V 1.1A 、我从 bq25708 ADC 获得的输出电压和充电电流为4V 和4A  、  因此有效值为 16/20.9= 76%

      在 cc 模式下、没有更成熟的 I 设置充电电流(0x14)= 2A、或者使用一个低输入适配器13V,,结果是完全一样的。

      充电3-5分钟、 无更成熟的4A cc 模式或2A cc 模式

  bq25708为°μ A

  HIDRV1 MOS 为°μ H

  LODRV1 MOS 为°μ H

 2.2UH 电感器为°μ H

 条件相同,EVM 温度正常。

   我应该检查哪个方向?是布局问题?非常感谢

e2e.ti.com/.../1s-char.pdf

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    sch 是1s char.pdf
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    Yanbin、

    我认为您的电路板效率应该太低。 您能否在系统板中选择更低的 Qg MOSFET 来提高效率?

    我们的 EVM 板、Qg 大约为6nC。

    谢谢

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    现在我将 MOS FET,CSD18534 μ F、但 没有改进,°,MOS 团队温度为70 μ F  是否有其他原因导致效率低下?   谢谢你

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    Yanbin、

    你好。

    至于效率数据、76%的值太低、因此在测量过程中可能会有其他一些负载。

    我看到您的电路板只是2层、我想使用4层电路板会更好地散热?

    谢谢

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    您好 Paul Yeh:

           首先、无其他负载,仅 charing 电池,测试条件与 EVM 相同。    是的,我认为2层布局可能是问题,SW1 SW2 HIDRV1 LODRV1 HIDRV2 LODRV2 BTST1

    BTST2应 尽可能靠近开关 MOSFET?的电源

            先前的波形在停止模式,现在我在运行模式(示波器),  占空比持续调节 , 这可能是问题?  EVM 上的波在运行模式(示波器)上是稳定的。

           您能不能告诉我 该波形的原因及其影响。?   

           现在、bq25708 模拟接地并不与电源接地分离。  并在捕获电压下导致一些噪声进入 bq、然后导致不稳定的占空比波形?

           非常感谢!