[参考译文] UCC28780：UCC28780控制方法

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器件型号：UCC28780

您好！

我对 UCC28780中的控制方法有一些疑问。

1、在 AAM 下、它是峰值电流模式控制。检测电阻器的峰值电流由 IFB 决定以调节输出电压。

在 AAM 模式下、IFB 如何生成峰值电流基准？

在 ABM 中、IFB 的纹波波决定了当 IFB 与 Iref 相交时的突发点。

图41中的 IREF 是什么？它是如何生成的？

3.在 LPM 中、检测电阻器的峰值电流由 IFB 决定以调节输出电压。

IFB 如何在 LPM 模式下生成峰值电流的基准？

在 SBP 模式下、突发频率由 IFB 决定以调节输出电压。

在 SBP 模式下、IFB 如何生成突发频率基准？

陈十一

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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大家好、Eleven、

感谢您关注 UCC28780 ACF 控制器。我将尽力回答您的问题，但我无法发布任何专有详细信息。 IFB 使用不同的方法来控制电流感测阈值(Vcst)的电平、具体取决于 IC 的工作模式。 Vcst 决定每个开关周期的峰值初级电流。
IFB 的范围从最大输出功率时的0uA 到零输出功率时的~75uA (待机)。

在AAM 下、峰值电流基准是 IFB 的一个下降线性函数。当 IFB = 0uA 时、Vcst 被钳位在0.8V。随着 IFB 的增加、Vcst 以线性方式下降至由 BUR 输入电压 Vbur 建立的电平。突发开始的阈值电平为 Vcst (bur)= Vbur/4。在中的这个到 ABM 的转换点、IFB 增加~20uA、并且开始在它上面叠加一个高纹波电流成分。
在ABM 中、Vcst 保持在 Vcst (bur)、IFB 的平均电平保持相对固定、但纹波含量(称为 Δ- IFB)会随着负载的降低而降低。建立了一个称为 Iref 的内部基准电流、以提供一个阈值、与该阈值进行 IFB 纹波比较(如图41所示)。此比较决定何时启用 RUN 信号并产生突发开关周期。调整突发脉冲内的周期数以保持25kHz 至34kHz 的开关频率。
在LPM 模式下、峰值电流基准再次是 IFB 的线性下降函数、而开关频率保持在25kHz。当突发中的周期数为最小值2且负载下降强制 IFB 进一步增加时、UCC28780控制器会根据需要降低初级峰值电流振幅以保持稳定。 Vcst 随着 IFB 的增加而降低、直到它被钳制在 Vcst (min)。如果负载进一步降低、则必须进入 SBP 模式。
在SBP 中、IFB 调制控制突发频率周期的内部信号。在这里、峰值初级电流处于最低水平、并且随着 IFB 持续增加、突发频率可在可闻频率范围内降至25kHz 以下。但是、在峰值电流最小的情况下、可以避免可闻噪声。如果 IFB > 75uA、则不再有任何影响。

我希望这些答案足以帮助您了解 UCC28780的控制方法。

此致、
Ulrich

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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您好 Ulrich、
感谢您的详细介绍。
我对这个问题仍然有一些疑问。
在 AAM 下、您说" IFB 增加~20uA、并开始在其上叠加高纹波电流成分"。 "具有高纹波电流含量"的含义是什么？我认为 AAM 和 ABM 都应该具有这种高纹波电流、对吧？
2.在 ABM 中，IREF 是如何建立的？
它应该与 IFB 建立函数关系、对吧？
3.在 SBP 中，如何理解"当 IFB > 75uA 时，不再有任何影响"？
我不知道这是什么意思？

BR

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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大家好、Eleven、

很抱歉我的回复延迟了。

对于您的新问题：
在 ABM 中会出现较高的纹波含量、而该纹波是在突发频率而非开关频率下产生的。在 AAM 下、开关是连续的、IFB 的纹波含量会通过反馈路径的较低带宽进行衰减。在 ABM 中、突发之间的间隔会产生振幅较大的低频纹波。该纹波用于 ABM 期间的调节。
2.我无法透露 Iref 是如何建立的；这是 TI 的专有信息。
在 SBP 模式下、一旦 IFB 变为大约75uA、突发频率就会非常低、以至于 VDD 可能会在生成另一个突发之前下降到 UVLO 点。但是、"生存模式"将进行干预并生成足够的脉冲、以使 VDD 保持在11V 以上。将 IFB 增加到75uA 以上不会改变这种情况。生存模式将占主导地位。如果输出负载过低、Vout 将开始向 OVP 攀升、因此可能需要预载来防止这种情况。预加载可能足以避免生存模式运行。闭环反馈通常不会导致 IFB > 75uA、但如果 IFB 被强制升高、则会导致开环运行。

此致、
Ulrich

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