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器件型号：LM5050-1 您好、Kari、
感谢您的反馈。
我还有其他问题(请使用粗体字)回答您在2018年10月5日的反馈、请提供建议、谢谢。
TI： LM5050-1 在标称电流下将 MOSFET 漏源极上的正向电压调节为22mV (根据标称电流选择 Vgs 4.5V 时的 FET Rdson、Rdson (Vgs=4.5V)选择为22mV/标称电流)。
在正常运行期间、将看到22mV 并且 MOSFET 的栅极受到控制(不会完全增强、它将大约为4.5V)如果电流超过标称值、栅极电压将增加、以便 RDSon 减少、从而在该更高的电流下实现22mV 的源漏压降。
问题：在 Vgs~4V 时、即使超过 MOSFET 的栅极电压阈值(Vth)、MOSFET 也不会完全增强？ (即某些 MOSFET Vth=2V)。 我的理解是否正确？
TI：如果负载电流低于标称电流、则会降低栅极电压以增加 RDSon、并实现22mV 调节。
在极高的电流下、栅极电压饱和至规格表中指定的最大电压。
数据表中的 VGS 规格规定 VIN-OUT = 175mV。 这意味着 LM505-1已脱离正向调节、且 GATE 已完全增强。
因此、4V Vgs 是由于它仍处于稳压状态、因此可以看到预期的结果。
问题：您在整个温度范围内是否有类似的图表？ 由于 VSD 调节变化很大...
此致、
Philip
