[参考译文] BQ24192：充电器芯片损坏

您好、Margisha、

您能否详细说明测试期间的测试条件？ 这将包括输入偏置条件、电池偏置条件等

测试是在 EVM 还是在定制 PCB 上进行的？

从您的描述中可以看到、高侧 FET Q2可能存在问题。 如果您看到输出端的输入电压、它会告诉我、从输入到输出端可能存在短路。 SW 上的电压范围应介于 VBAT 至~4.35V 之间。

我将验证以下内容：
-移除输入并测量 PMID 上的电压。 电压应为~Ω VBAT 减去高侧 FET 的二极管压降。 SYS 应该在~VBAT 上。

应用 VBUS 并测量 PMID、它应该是~VBUS。 然后验证是否有大电流从输入端直接流入电池。

-验证 SW 波形以确保转换器能够切换。