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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/693275/lm5022-connecting-regulated-vout-of-secondary-winding-to-vin-of-lm5022
是否可以将 Vout:6 (次级输出)连接到 VIN 引脚？ 推荐吗？
e2e.ti.com/.../GD-calcs_5F00_27th-may.xlsxThank 您。
**由于两个原因，我计划不使用辅助绕组为 VCC 供电
1.我正在进行平面变压器设计，因此我正在探索其他为 VCC 供电的方法，以便通过不使用辅助绕组节省 PCB 空间。
2.我的 Nprim :2和 nsec 为1。
如果 iAM 使用辅助绕组、Naux/nsec 为1/1、则 Vcc 引脚上会出现14V 电压、这不是 LM5022数据表中推荐的值。
如果我将 VAUX 设置为9V，那么我将得到 Vau/Vsec 的匝数比，即9V/14V =.642。在这里，我不知道如何实现这个半匝数比。(在这里，我可以在 ELP22内核设置为中使用不同的 AL 值
增加 nPrimary 匝数并获得更多 nsec 匝数以将 Vaux 设为9V、但这些更多匝数会占用 PCB 空间。
下一个选项是通过二极管将 Vout1 (14V)直接连接到 LM5022的 VCC。 我知道 VCC 只能承受14V、所以我不能使用这个选项。
在这里，我正在检查 Vout1 14V 的要求是否可以降低到9V。
下一个选项是通过二极管将 Vout1直接连接到 Vin 引脚(正如我之前分享的图片)。
在探索此选项时、我了解 到如果 Tambi 为125c、Tj 在25C 的 Tambi 和153C 的 Tj 可以达到53C。
(我根据 Tj=Tamb+(VIN- Vcc)*(iCCmax+Dmax*由于初级开关的切换而产生的栅极脉冲电流*栅极电流上升时间在 Ton 脉冲中的百分比*Rth (j-a))进行了 PD 计算。
我在这里取 Vin =13.5和 Vcc =7.5V)。 根据此分析、我了解到高压预稳压器将承受应力、当 Tambi 为125c 时、Tj 将达到150+。 因此，虽然 Tj @ Ta 仅为53C，但该选项在较高温度下具有风险。
请参阅随附的计算表。
在这里，我请求您告诉我您对 Vin 选项的看法，您是否在任何一种设计中使用了 Vin (将 Vout1连接到 Vin)，以便在稳态条件下为 LM5022提供电源？
我需要你的帮助。
非常感谢您的光临。
我将尝试此选项。 在该选项中、我认为 T1将始终处于活动区域、当输入电压为60V (从 VIN-11V 从齐纳 Z1-0.7V 从 T1基极到发射极的电压为60V)时、功率耗散会更大。 选择具有低 Rth 和高 PD 的出色导通晶体管将解决该问题。
此外，我还在考虑 将 VOUT：6 (次级绕组)与3V 齐纳二极管串联， 并将其连接到 LM5022的 VCC ，这样 VCC 就可以看到(14V-3V-0.7V =10.3V)。 齐纳二极管的功率损耗可以是3V*36mA =108W (最大值).36mA 是 LM5022的 ICC 外部限值。
就功率耗散和成本而言、我会选择哪种方案是可行的。
此致
Hafeez
