[参考译文] LM3150：最短关断时间

尊敬的 David：

感谢快速响应、这很有帮助、我已经制作了一些 PCB、测得的 Toff 小于300ns、我没有测量或观察到任何问题。 当 Toff 太低时、我可以期待什么故障模式？ 我认为自举电容器放电过大、因为充电时间较短、可能导致高侧 Vgs 过低、我已经检查过 PCB、但没有观察到这一点。

负载电流和输出电容具有很大的电势范围、具体取决于连接到稳压器输出的另一个 PCB。 (30uF @<10mA、最高2.5mF @ 3.0A)。 这个输出范围要求导致了一个高(er)开关频率、从而降低了关断时间。

非常感谢、

Oliver

尊敬的 David：

这是一个有用的信息、感谢您、我一直看到多个 PCB 上的稳压器(~33%)出现一些故障、有时会导致高侧 MOSFET 受损、而在选择反馈电阻器输出20.4V 时、其他时间会导致输出电压<3V。 我可以在下周提供原理图、如果这有所帮助、但现在我附上了 SS 引脚的示波器屏幕截图。 这是当器件输出<3V 但未使任一开关死后看到的典型波形。 查看数据表中的方框图、我认为如果触发了 VCC UVLO、热关断或 EN 引脚、则应出现此 SS 波形。 由于 EN 和 VCC 引脚测量的值正确、并且封装不接近热关断温度、因此在该特定的 PCB 上不应触发这些值。

您是否知道导致此问题的任何其他原因？ 如果有任何帮助，将不胜感激。 供参考：MOSFET 均为 TI CSD18543Q3A 器件。

非常感谢、

Oliver

尊敬的 David：

U5是一个在预设时未使用的电流 DAC、当被设定为零电流时、它的输出泄漏电流为+-1uA。

顶部 PCB 布局：

底部 PCB 布局：

非常感谢、

Oliver

您好 Oliver、

不必道歉，我并不是想推卸责任，只是通知：)。

让我知道测试是如何进行的...

谢谢。

David。

尊敬的 David：

我已经在 HSF 中添加了一个10欧姆电阻器、我还包括一个与电阻器并联的二极管、该电阻器将在下降沿正向偏置、以尝试避免两个 FET 在任一开关沿导通。

随附的屏幕截图显示了这种修改后的两个 FET 栅极波形。 当温度发生变化时、PCB 的调节仍然很差。 我现在将保持模式不变、以排除交叉传导问题。 您建议您在哪里查看下一个？ 我想、由于输出电容大且 ESR 低、反馈可能不稳定。 我可以尝试当前未安装的前馈网络吗？

谢谢、

Oliver

您好 Oliver、

感谢您分享您的波形。 您能否放大 HSF 拉高并使 LSF GD 示波器捕获1V/div 的点？

谢谢。

David。

尊敬的 David：

我已经放大到 HSF 栅极的上升沿：

我在 LSF 探针接地方面做得更好、因此消除了一些振铃。 下面是 HSF 关闭 FYI 的屏幕截图：

谢谢、

Oliver