[参考译文] 高功率、高频 MOSFET 和 H 桥

Ennio、您好！

感谢您的提问！ 让我来看看该器件、看看我们拥有的哪些器件最适合。 您是否正在寻找具有单个输入的半桥驱动器来实现内部死区时间？ 您是否需要隔离？ 如果不是 ucc2771x、则为600V HB 驱动器、其工作原理应类似于 ir2110、但其最大总线电压仅为600V。 要获得更高的总线电压、我们可能需要查看诸如 ucc2152x 的隔离式驱动器。

谢谢、

Ennio、您好！

感谢您的更新。 UCC21520具有比 IR2110小得多的 RJA、这使得封装能够耗散更多的热量、而这已经是在相同测试条件下具有良好确定性的因素。 您的驱动电压是多少？ 您将使用栅极电阻器吗？ 我将进行一些计算、以查看它是否超过器件的最大功耗。

谢谢、

Ennio、您好！

哇、听起来很疯狂。 变压器上的反激看起来会被匝数比放大。 您可以首先尝试缓冲源(次级侧甚至初级侧)的过冲。 然后、您可以尝试降低 di/dt、以避免开关节点上出现如此高的 dv/dt、这将通过向驱动环路添加一些电阻来帮助解决现有的过冲、从而在一定程度上抵消任何寄生环路电感。 最后、也是最重要的一点、您可以查看 DGN 或电源板封装、以便显著减少 RJA 并从部件中吸收更多热量。

使用正常的系统检查您的驱动器输出和电源电压、以便我们可以查看情况是否正常以及是否符合规格。 我们还可以看到用于观察 FET 完全导通的开关节点。 我想我们要做的就是、确保 FET 完全导通、以避免过多的 FET 传导损耗、过多的传导损耗可能会提高驱动器的结温、而这需要保持在150C 以下。 如果您担心功率耗散并想仔细检查您的系统、请查看第2.7节 www.ti.com/.../slua618.pdf

您的终端设备是什么？ 此电路将在您的系统中执行什么操作？
您认为 IR2110为何会对您的系统有利？
如果您有任何疑问、请告诉我。
谢谢、

Ennio、您好！

频率超过1MHz 和600V 及以上、需要隔离的驱动器可能超出我们的范围。 您应该能够使用我们的驱动器、而不会出现最高此频率的问题。

谢谢