[参考译文] TPS50601SPEVM-S：参考设计中肖特基二极管的用途

您好 Jerry、

PH 到接地之间的肖特基二极管旨在保护 FET、以避免相位节点中低于0V 的压降过大。 但是、可能不需要二极管。 使用较新版本的 IC (TPS50601A-SP)时、我知道该器件已经过验证、可以在没有二极管的情况下正常工作。 我将确认这部分也是如此。

以下两篇 E2E 文章介绍了升压和 Vin 之间的肖特基二极管：
e2e.ti.com/.../339779
e2e.ti.com/.../612279

希望这对您有所帮助！

谢谢、
Kyle

您好 Kyle、

感谢您的快速回复。 请确认 TPS50601-SP 不需要从 PGND 到 PH 的肖特基二极管。

我仍然需要一个答案来确定是否需要从 Vin 到 Boot 的肖特基二极管。 您提供的第一个 E2E 链接不再可用。 此主题可能已删除。 第二个 E2E 链接未解释二极管的用途。 它只是解释了如果使用该二极管、则需要一个泄放电阻器。

谢谢、
Jerry

您好 Jerry、

我正在确认我的第一个答案。 抱歉、关于该链接、我不确定它为什么不起作用。 答案如下：

当 Vin = 5V 时、Vin 和升压引脚之间不需要肖特基二极管。
当 Vin = 3.3V 时、需要在 Vin 和 BOOT 引脚之间使用肖特基二极管。 这是为了确保引导相 UVLO 不会影响 EVM 的性能。 IC 内部有一个具有较高压降的 MOSFET 和二极管、可在工艺/温度范围内实现自激式 BOOT-PH UVLO。 因此、通过使用外部肖特基二极管、我们可以最大程度地减小从 Vin 到引导引脚的压降。
数据表电气特性表强调 BOOT-PH UVLO 通常为2.2V、最大为3V。 因此、使用外部肖特基二极管有助于确保不触发 BOOT_PH UVLO、因为它具有较低的正向压降。

谢谢、
Kyle