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[参考译文] LMR16006Y-Q1：EMI 无法通过

admin
Guru**** 2493545 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/710335/lmr16006y-q1-emi-could-not-pass

器件型号：LMR16006Y-Q1

下面是 SCH 24V 输入、12V 输出 、30mA（MCU）

下面是 PCB

下面是 IC

下面是输出连接至坚持）的 EMI (__LW_AT__测试

下面是 SW 的波形

我们测试将 L1从47uH 更改为10uH，、但 SW 的波形更改为

我们将 L1保持在47uH，、但在 SW 到 GND，处添加1nF C SW 的频率从2MHz 更改为  n00KHz

在 SW 和 GND 之间增加0.1uF

在 SW 和 FB，之间进行了测试和电容、并将 D1从1N4148更改为 BAT46W  

如何改善 EMI？

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    TI__Guru**** 2493545 points
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    您好、Muller、

    我建议在 VSW 和 GND 之间放置一个 RC 缓冲器。 尝试使用1欧姆电阻和1nF 电容。 如果您需要进一步改进、可以尝试将电容器大小增加到2.7nF。

    如果仍有问题、您可能希望包含前端滤波器、然后再查看布局。 请参阅以下链接、其中讨论了 EMI 缓解措施、可解决我提到的两个问题。

    www.ti.com/.../snva489c.pdf
    www.ti.com/.../slyt682.pdf


    希望这对您有所帮助？

    David。
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    TI__Guru**** 2493545 points
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    您好 David，

    感谢您的大力支持。 Ω，测试将 RC 10 μ F + 150pF 置于 SW 和 GND 之间波形发生了如下变化

    并计划稍后尝试1Ω+1nF；

    PS：CB 的上限建议100nF，想知道我们是否可以更改？

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    TI__Guru**** 2493545 points
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    您好 David，

    已在 SW 和 GND，之间尝试2Ω+1nF，RC、但 SW 上的波形已更改：

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    TI__Guru**** 2493545 points
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    您好 David，

    波形下方 OK？（5.1欧姆+1nF）

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    TI__Guru**** 2493545 points
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    下面是采用4层，如何改进？的 PCB 布局

    e2e.ti.com/.../4layer.zip

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    TI__Guru**** 2493545 points
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    您好、Muller、

    需要将 RC 缓冲器从 Vsw 放置到 GND、而不是 FB 节点。

    还建议将过孔置于 GND (移除散热焊盘)中、并将过孔置于二极管的 CIN-和阳极处。

    希望这对您有所帮助？

    David。