[参考译文] UCC27714：双开关反激式拓扑、负载开关问题

您好、Eddie、

感谢您关注 UCC27714！ 我很高兴您的项目即将完成。

[引用 user="Eddie Loy"]

问题1：从上面列出的已知参数开始，它们是否是正确的数字？ 我从数据表中收集到的数据显示、AREREALLY 接近。

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HB-HS 电压从16.4V 降至12.4V、远低于驱动 IGBT 的正常电压(通常我们始终至少看到15V)。 所选 IGBT 的栅极电荷小于100nC、由于 C = Q/V、这表明自举电容的值小于预期值(原理图中大约为0.025µF μ F、与0.1µF μ F)。 0.1µF Ω 自举电容器的结构和额定电压是多少？ 例如、额定电压为25V 的小型0603陶瓷电容器？ SMT 电容器的总电容会随施加的电压而减小、例如请参阅 此 Murata 常见问题解答。

请尝试用更大的电容值替换该电容、并检查 Q1是否在该配置中完全导通。

我认为上述答案也应涵盖问题2。

[引用 user="Eddie Loy"]

问题3 --你有什么建议、建议、可能的建议，可以帮助我完成 Finis 项目吗？

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首先、我认为将 FQPF13N06L 放置为 SH 是不够的。 由于高压源为60V、IGBT 的工作电压将非常接近击穿电压、并且开关节点上的任何噪声或振铃都会损坏电路。 对于 SH、我建议使用击穿电压大于或等于100V 的组件。

我还建议选择针对更低电流和更低栅极电荷进行优化的晶体管、以减小栅极电容、即使使用大型栅极电阻器也能实现快速导通。  SH 需要更高的电压、因为它直接放置在 HV 电源上、但 SL 的工作电压仅高达18V、并且有可能被一个更小、成本更低的组件所取代。

如果 SH 的输入电容可降至500pF 或更低、则您可能会发现将 SL 漏极直接连接到 SH 栅极并将 RSHG 的值增加到1kΩ μ F 或更高会有好处。 由于100kHz 时的占空比小于50%、因此自举电容器通过 SH 的充电路径在正常运行期间应至少有5µs μ A 的电流激活、 5µs、只要输入电容和栅极电阻的时间常数相对于这个 Δ I 关断时间保持较小、再充电电路的运行方式应该相等。 这还将大大降低您的电源电流要求、因为您将不再在每个周期通过13Ω Ω 将18V 电源短接至接地。  通过  将 SL 漏极 直接连接到 SH 栅极、还可以非常快速地钳位 SH、从而防止通过 Q1和 SH 形成击穿路径。

此致、

您好、Eddie、

大多数更改看起来都是合理的。 有几件事值得注意：

• 钽自举电容器可能不是最佳选择。 高侧电源通常会出现短噪声尖峰、尤其是在 HS 引脚上存在噪声时。 钽电容器可在过压条件下快速销毁、与其他类型的电容器相比、钽电容器的销毁会非常剧烈。 尽管如此、如果您确信即使瞬间噪声尖峰也不会超过此电容器的额定电压、您还应仔细检查钽电容器的 ESR 是否足够低、以确保栅极驱动器的脉冲电流不会导致明显的压降。
• 选择更大的自举电容值通常没有什么危害、尤其是考虑到该电路的最大占空比小于50%。 除非您有特定的理由将电容器保持在100nF、否则我建议将其升高到1µF μ F。
• 输出钳位二极管被列为600V 二极管、对于 HO 输出来说、这绝对是一个过大的值。 HO 和 HB/HS 之间的电压应始终小于20V。 600V 二极管占用大量空间、由于其结构、它们通常非常慢、并且其反向恢复特性通常较差。 我建议将这些钳位二极管替换为 LO 输出上的相同二极管。
• 1000pF 变压器电容器将趋向于将输出结构上拉至 HV 电源。 如果 HV 位于接地附近、则不会造成任何危险。 另一方面、如果输出共模以某种方式(例如通过一个不可靠的手指)连接到接地、则变压器初级端的 dv/dt 将导致流经1000pF 电容器的高电流、这可能很危险。 通常、隔离电路的接地点通过电容器进行连接、因为它们之间通常不应有任何 dv/dt。

祝您设计顺利。

此致、