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[参考译文] UCC28780:有关 Mathcad 工作表的更多问题

Guru**** 2493175 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28780

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/707766/ucc28780-more-questions-about-mathcad-worksheets

器件型号:UCC28780

您好!

 

我尝试计算开关节点电容、我有几个问题。

 

我在 MathCAD 工作表中找到了我需要考虑的电容列表、如下所示:

 

 

后跟一个公式、如下所示:

 

 

1.我能得到这个公式的某种推导吗?

 

2.这是与时间相关的有效电容吗?  

 

3.如果它是与时间有关的电容,它是否也是按照 Goerte 先生在答复一个名为"UCC28780:有关 MathCAD 工作表的更多问题"的帖子时所解释的程序计算的?

 

Goerke 先生解释说:

 

 

4、耗尽模式 MOSFET 的输出电容也应按照上面所示的相同步骤计算?  

 

 

在同一帖子中、Goerke 先生建议了一种单独查找初级 MOSFET 电容的方法、如下所示:

 


 

我尝试使用两个公式计算初级 MOSFET 输出电容(如 MathCAD 表中给出的以及 Goerke 先生建议的那样)、但我得到了不同的结果。

 

我选择了 MOSFET - Infineon IPP60R180C7

VBULK_MIN - 68.04V

NPS–8.

VO_NOM–12V

Vrfl–96V

 

使用 Mathcad 表中的公式、我得到1.008*10^3pF

 

 

根据 Goerke 先生建议的公式,我得到1.379*10^3pF。

 

5.不同结果的原因可能是什么?

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Nisarg:

    感谢您关注 TI 的解决方案。

    导出非常复杂、我将联系设计人员并向您提供反馈。

    2.是的。 它是与时间相关的电容。

    是的、这是相同的过程、但概念稍有不同、这会导致计算结果略有差异。

    由于耗尽模式 MOSFET 具有非常小的电容、因此不值得根据时间相关的参数来计算。

    公式使用略微不同的概念、这会导致输入参数不同。

    我们建议您遵循以下公式:

    此致

    Kevin

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    感谢陈先生的帮助。 除了 Cosstr_FET、如果您可以为 Lmmax 提供推导、那将会很好。 因此、我将深入了解我选择特定值的原因。
    计算 Cswntr 后、迭代 Kres 会得到 Kres 28.5%。 不是太大?