工具/软件:WEBENCH设计工具
各位专家、您好!
我再次来到这个论坛寻求帮助。 我正在设计一个具有 LM5022-Q1、12V+-5%输入、54V/2.4A 输出的升压电路。
我复制了下面数据表第12页的一部分、其中指出、在 MOSFET 关闭期间、最佳补偿与电感器电流成正比;
在第21页中、有一个计算 Rsns 的公式、我可以从中找到与正(Vo -VI)/L 的比值是3D/Fsw = 3DT、对吗?
如果是、为什么这里使用该值、我是否可以仅使用1、1/2或其他值?
谢谢
Chris
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各位专家、您好!
我再次来到这个论坛寻求帮助。 我正在设计一个具有 LM5022-Q1、12V+-5%输入、54V/2.4A 输出的升压电路。
我复制了下面数据表第12页的一部分、其中指出、在 MOSFET 关闭期间、最佳补偿与电感器电流成正比;
在第21页中、有一个计算 Rsns 的公式、我可以从中找到与正(Vo -VI)/L 的比值是3D/Fsw = 3DT、对吗?
如果是、为什么这里使用该值、我是否可以仅使用1、1/2或其他值?
谢谢
Chris
电流限制公式可推导如下。 无论采用哪种拓扑、都是如此。 为了简化方程式、可以删除 Vslope 项。
对于电流模式控制架构、最佳斜率补偿应等于电感器的下降斜率乘以电流感应增益。 可以具有比系数1更多的斜率补偿。 对于升压转换器、这是:
这是可以得到的
在数据表 K=(3*D/fsw)中、它提供了裕度、有助于适应大多数应用、同时保持公式相当简单。 反向求解 Rsense 是如何推导数据表中的公式。
然后、等式40被用来使斜率补偿与上面使用的 K 系数相匹配。
如果您有任何疑问、请告诉我。
谢谢、
Garrett Roecker