[参考译文] LM5575：问题

您好、Allan、

您是否会想到在整个原理图上进行发送？ 以及您用于测量 SW 节点的方法。  

谢谢、

约书亚奥地利

你好，约书亚

原理图的一部分。

SW 节点测量方法如下图所示。

我们有两个问题。

在 LM5575规范中、TI 定义了 SW 到 GND (稳定状态)<-1.5V、但未定义 动态状态。  

如果我们使用稳态标准来判断动态状态测量结果、则它将失败。

TI 能否提供  SW 与 GND 标准的动态状态、或 提供解决方案来减少过冲。

2.当我们进行0-1.5A 的负载瞬态时 、我们看到0A 处的 SW 节点波形如下所示。 以及如何解释。

你好，约书亚

1. 您是指下面的"简短"图片吗？ 如果是、另一个问题是、我尝试关闭 E-load 的瞬态负载并保持0A 恒定电流、SW 节点是正常的受控节点、请勿参阅 "短路"。 我的意思是、当 从0A-1.5A 瞬态进行负载瞬态负载时、我看到出现了"短路"。 为什么会有这样的差异？ LM5575是否具有低 FET？

2. LM5575是否具有低 FET？  在干燥过程中、它似乎是高侧和低侧条件。

您好、Allan、

Josh 不在办公室。 他将在周一返回时回到您的位置。

谢谢、

Andrew

您好、Allan、

抱歉、似乎没有低侧 FET、因此不太可能。 为了更好地帮助您、我想问一些有关您的原理图的问题。

确切地说、您的 R101和 R102电阻器的值是多少？

2.您是否还会考虑通过 PCB 文件(包括所有层)进行发送、以查看器件的布局？

谢谢、

约书亚奥地利

你好，约书亚

我们不会弹出 R101和 R102、而是尝试将 R101 = 10欧姆且 C256 = 330pF 与规格相同。 结果相同。

。  

2.下图的顶层布局(所有组件都位于顶层)

3.我的问题：

答：为什么负载瞬态为0-1.5A、我们看到0A 时的 SW 节点波形看起来是这样的？

b：SW 过压为-7.594V、会损坏 IC？

您好、Allan、  

我希望 最大 SW 节点 电压为 VIN。 话虽如此、能否复制前一个波形以显示 VIN。 这应该能让我们更好地了解器件的行为。

对于这样的器件封装设计、SW 下冲是典型值。 通过保持高 di/dt 环路较小、可以最大程度地减少这种情况。 审核您的原理图、就好像您这样做了。 话虽如此、下冲看起来是可以接受的。

谢谢、

约书亚奥地利

你好，约书亚

请检查该图。  

约书亚、您好！

下面是 Vin、Vsw 和 Iout 波形的更多缩放。 我们要知道的最重要的问题是 VSW 理解值中的最小值-比 DS 绝对额定值低7.4V。 它是否有任何问题并可能导致损坏？  

此致、

Allan

你好，约书亚

感谢你的帮助。