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器件型号：BQ25570 尊敬的所有人：
我的问题看起来很愚蠢。 但我遇到了这个问题。 我的电路的方框图如下所示。 BQ25570的 VSTOR (和 VBAT 一起)连接到超级电容器以供后续使用。 VSTOR 仅在达到3.3V 时连接到负载(使用开关、如图所示)。 对于收集装置模块的不同输入电源、尽管 VSTOR 电压(3.3V)和负载相同、但我在这两种情况下观察到了不同的放电时间！ 请参见图1 (0.630W)和图 已连接2 (3W)。
事情是，对于一个电容器的非常基本的等式(E = 1/2*C*V^2)，如果电压处于同一电平，电容器中存储的能量必须相同。 但是、在这些不同的充电时间(图1和图2、输入功率分别为0.63W 和3W)下、在这两种情况下、电容 C2上存储的能量完全不同。
我还有一个问题与此问题相关。 我尝试通过以下公式来估算代表电路功耗的电流：i = C2 * dV/dt (C2 = 6.8mF、V = VSTOR 随时间变化)=> V D跌 落、I 上升、反之亦然。 问题是、通过该计算、我得到的振幅高达500mA、VSTOR 下降大约20mV。 这对我的电路根本没有意义、尤其是所有组件都是超低功耗组件。
从上面提到的观察结果可以看出、我的结论是：无法通过这个等式从 VSTOR 中提取电流振幅、因为能量不仅存储在 C2中、而且存储在我不知道的 BQ25570中的某个位置。 我是对的吗？
非常感谢你能抽出时间。 任何建议都将受到高度赞赏。
