[参考译文] TPS2492：MOSFET 选择-二次击穿

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/690011/tps2492-mosfet-selection---secondary-breakdown

器件型号：TPS2492

数据表第26页

M1选择

在线性区域中使用功率 FET 会对分布式结产生较大的长期应力。其安全工作区(SOA)曲线在高电压和低电流区域的同一条线上显示多个斜率(例如、时间参数为常量的一条线路)的 FET 通常易受二次击穿的影响、不是此应用的强大候选器件。典型应用电路中给出了一个很好的选择示例、其中10ms 处的线路在斜率上没有中断。应用的最佳器件并不总是最低的 RDSON 器件。

我认为 RDS (ON)和热阻是最重要的、因此 MOSFET 需要更少的冷却措施。

我不明白为什么具有多个斜坡的 SOA 不是强大的候选器件。有什么建议吗？

二次击穿是否与雪崩相同？我认为所有功率 MOSFET 都会发生雪崩、对吧？

谢谢。

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2481465 points

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您好、艾比宾、

在系统导通期间、FET 将承受严重的功率应力。请浏览涵盖大部分详细信息的应用手册 www.ti.com/.../slva673a.pdf。

此致、
Rakesh

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2481465 points

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您好、Rakesh、

谢谢。

应用手册(slva673a)提到、
为了确保正常运行、大多数控制器将具有应遵循的最小建议 VSNS、PL、min。

TPS2492的 VSNS、PL、min 是什么？

应用手册(slva673a)还建议使用 dv/dt 控制电路。对于 dv/dt 控制电路、热插拔、功率限制和电流限制对栅极控制有任何不利影响？