[参考译文] LMG3410：设计问题

您好！

感谢您的回答、

1. 对于我们的应用：VBUS = 200V、ILOAD = 12A、RDRV -> 100V/ns
2. 好的
3. 如果使用推荐的自举二极管，对电路的时序影响是什么？ 开关的 TSTART 启动时间存在2ms 延迟、因此电容器将保持该电压、对吧？ 我没有5V 输入、只有12V -您是否有12V 至12V 的隔离器拓扑？
4. 好的
5. 好的

谢谢、

您好！
对于项目3：如果您更喜欢使用自举二极管、2ms 的启动时间是从数据表中给定 VNEG 和5VLDO 电容器下的 VIN 通过 UVLO (最大值为9.4V)开始的。 您将首先为您的低侧 GaN 提供此功能。 然后、要为高侧 GaN 电容器充电、您需要在降压配置中打开低侧 GaN、直到高侧完全偏置或在升压类型配置中 PWM 低侧 GaN。 除此之外、2ms 还需要一些时间来为 VIN 电容器充电。 您可以通过从 t=C*9.4V (UVLO 最大值)/I 进行计算来找到适合您设计的时间 高侧 GaN FET 也是如此。 自举电源的限制来自低侧 GaN 的最短导通时间。 基于1MHz 的设计、您需要在每个周期为高侧偏置电源提供足够的电荷、这意味着低侧 GaN 必须在最短时间内导通。
如果您更喜欢使用隔离式电源、据我所知、TI 没有适用于12V 输入的推挽式变压器驱动器。 我建议使用开关稳压器将12V 降至5V、因为您的设计需要5V 电压来为数字隔离器的初级侧供电。 然后、您可以使用与 HB-EVM 设计中相同的配置。
我不推荐使用典型的隔离式电源(集成开关+变压器)、因为这些电源通常具有大约40-50pF 的初级到次级电容。
项目1：明天我将返回结果。
此致、
Serkan

您好、 Serkan、

再次感谢您的详细回答-等待时间结果：)

我还有两个问题：

1. 如果我使用1MHz 的开关频率、 LMG3410可以处理的最小占空比是多少？
2. 能否使用 具有3.3V 输入和5V 输出的 ISO7831FDWR 数字隔离器？ 数据表仅显示了相同 VCC 的参数、尽管它规定 了2.25V 至5.5V 电平转换能力。

EFI