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[参考译文] LMG3410：设计问题

admin
Guru**** 2492385 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3410-HB-EVM, LMG34XX-BB-EVM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/704616/lmg3410-design-issues

器件型号：LMG3410

您好！

我对 LMG3410有几个问题：

  1. 在大多数情况下、当前数据表中只有典型值-如何获取最小值、最大值？ 尤其是对于 tpd、on   tdelay、on   trise   tpd、off   tfall
  2. 我正在使用 LMG3410-HB-EVM 和 LMG34XX-BB-EVM 评估模型-如果我将创建 发生击穿的情况、LMG3410会自我保护还是烧毁？
  3. 当我为12V VDD 使用自举二极管时、时序损耗是多少？ 我有12V 的输入电压、我更喜欢为 VDD 使用隔离式电压-您可以针对此问题推荐特定设计或器件吗？
  4. 从 VDD 电源汲取的最大电流是多少？  典型值显示为43mA。
  5. 我的主要目标是构建具有200V 输入电压和最高频率的 H 桥拓扑(使用4个 LMG3410)-我的目标是1MHz。 该 IC 是否有可能？ 您是否有 H 桥设计示例？

非常感谢、

  • 0
    TI__Guru**** 2492385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！
    我将尝试帮助您解决您的问题。
    这是正确的、因为这些都取决于 Vbus、ILOAD 和 RDRV 值(栅极电流)等运行条件。 这些器件在特定的工作条件下进行测试。 如果您可以提供确切的 dv/dt (或 RDRV)、ILOAD 和 Vbus、我可能会帮助您解决系统中的预期延迟。
    2.尽管 LMG3410中的保护旨在提供过流保护、但由于快速响应、它可能会在击穿情况下保护器件。 在我们在室温下对几个样本进行的测试中、这些器件在击穿事件中存活下来。
    请通过以下链接查看 HB 设计文件。 它使用为低侧和高侧 GaN 生成的5V 至12V 隔离式电源。 它还具有自举二极管和电阻器的封装。 重要参数是初级到次级寄生电容。 您将需要非常小的寄生电容、例如 HB EVM 中使用的器件。
    www.ti.com/.../LMG3410-HB-EVM
    4.考虑到过程变化、在1MHz 开关频率下最大驱动器电流不会超过47mA。
    5.我们将在大约2个月内设计并向 TI.com 发布全桥 EVM。 请稍后再查看此设计。 设计电路板时、我强烈建议您遵循中给出的设计步骤
    www.ti.com/.../snoa946.pdf
    LMG3410的开关频率为1MHz。 这没有问题。

    此致、
    Serkan
  • 0
    TI__Guru**** 2492385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    感谢您的回答、

    1. 对于我们的应用：VBUS = 200V、ILOAD = 12A、RDRV -> 100V/ns
    2. 好的
    3. 如果使用推荐的自举二极管，对电路的时序影响是什么？ 开关的 TSTART 启动时间存在2ms 延迟、因此电容器将保持该电压、对吧？ 我没有5V 输入、只有12V -您是否有12V 至12V 的隔离器拓扑？
    4. 好的
    5. 好的

    谢谢、

  • 0
    TI__Guru**** 2492385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！
    对于项目3：如果您更喜欢使用自举二极管、2ms 的启动时间是从数据表中给定 VNEG 和5VLDO 电容器下的 VIN 通过 UVLO (最大值为9.4V)开始的。 您将首先为您的低侧 GaN 提供此功能。 然后、要为高侧 GaN 电容器充电、您需要在降压配置中打开低侧 GaN、直到高侧完全偏置或在升压类型配置中 PWM 低侧 GaN。 除此之外、2ms 还需要一些时间来为 VIN 电容器充电。 您可以通过从 t=C*9.4V (UVLO 最大值)/I 进行计算来找到适合您设计的时间 高侧 GaN FET 也是如此。 自举电源的限制来自低侧 GaN 的最短导通时间。 基于1MHz 的设计、您需要在每个周期为高侧偏置电源提供足够的电荷、这意味着低侧 GaN 必须在最短时间内导通。
    如果您更喜欢使用隔离式电源、据我所知、TI 没有适用于12V 输入的推挽式变压器驱动器。 我建议使用开关稳压器将12V 降至5V、因为您的设计需要5V 电压来为数字隔离器的初级侧供电。 然后、您可以使用与 HB-EVM 设计中相同的配置。
    我不推荐使用典型的隔离式电源(集成开关+变压器)、因为这些电源通常具有大约40-50pF 的初级到次级电容。
    项目1：明天我将返回结果。
    此致、
    Serkan
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    TI__Guru**** 2492385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、 Serkan、

    再次感谢您的详细回答-等待时间结果：)

    我还有两个问题：

    1. 如果我使用1MHz 的开关频率、 LMG3410可以处理的最小占空比是多少？
    2. 能否使用 具有3.3V 输入和5V 输出的 ISO7831FDWR 数字隔离器？ 数据表仅显示了相同 VCC 的参数、尽管它规定 了2.25V 至5.5V 电平转换能力。

    EFI

  • 0
    TI__Guru**** 2492385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 EFI、
    对于您的工作条件、总导通延迟应约为24.7ns、总关断延迟为29ns。 我想这结束了您之前的问题。

    LMG3410的最小导通时间约为10ns。 这意味着、如果在 RDRV=15kOhm 时提供10ns 的输入信号、开关节点将进行50%的转换。 这相当于1MHz 时的占空比为1%。
    2.是的、初级侧3.3V 电压和次级侧5V 电压是可能的。

    希望这些解决了您的问题。
    此致、
    Serkan