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[参考译文] LM5122:lm5122 eval 有问题、我有疑问

Guru**** 2478345 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5122EVM-2PH, LM5122

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/689355/lm5122-lm5122-eval-has-issues-i-have-questions

器件型号:LM5122

您好、购买 eval lm5122evm-2PH。  两相、电路板很好。

许多 0欧姆电阻器令人困惑。  焊盘位于电路板上、一些电阻器位于电路板上、所有电阻器都在原理图中、但不在 BOM 上。  奇怪。

我把它带回去、这是令人困惑的。  R22、R23、R30、R37、R18 0欧姆电阻器不在 BOM 中、而是在原理图中、所有电阻器都有焊盘(??)、有些电阻器组装在电路板上。

D3二极管和 C33电容器缺失也存在同样的问题。

通常、我不关心文档中的错误。  但设计我自己的 LM5122 2PH 板很困难。  不知道是否应包含部件。  是否有人可以尽快修复 erros?

 我在这个周末手动布置 PCB、然后看到10-16个器件为0欧姆。  太大了。  我不会在 PCB 上放置0欧姆电阻器。  这是浪费时间、我应该抓住它。

非常令人震惊的是、组装的 C20和 R36在 PCB 上反向。  这意味着 BST 电容器不直接连接到 BST 引脚-电容器通过 R36。  这是关于什么?  不要说 R36为0欧姆、如果用户更改电阻器、会怎么样-然后所有电阻器都会爆炸?

更令人震惊的是:

  1. 强烈提到栅极驱动需要使用 Rg 电阻器-这说明了世界、并说 TI、ONsemi 等。 但板上的这些电阻器都是0欧姆!  解释!

   MOSFET 栅极引脚必须非常靠近驱动输出引脚!  但该评估具有1.3英寸长的迹线。  太长了。  当我设计电路板时、我的 MOSFET 栅极引脚大约在2-4 mm 之间。

话虽如此、当我在驱动器和栅极引脚之间有2-4mm 的电压时、我是否需要任何 Rg 电阻器?  我使用的是具有1.5 Ω 内部 Rg 的 TI MOSFET。  因此、根据仿真、添加外部1欧姆电阻器可使导通和关断时间延长一倍以上。  请,只有真正的神清专家回答。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    大多数0欧姆是保留位置、因此用户可以根据需要更改为其他值。 例如、您不必使用栅极电阻器、但我们保留了一个位置、以便您可以更改以满足您的性能要求。 某些0欧姆电阻实际上是用于配置电路的跳线。 用户可能希望降低栅极驱动速度以降低 EMI 发射、但缺点是效率降低。 您需要根据自己的要求在两者之间进行权衡。

    您可以将 MOSFET 靠近 IC 放置、但情况并非总是如此。 只要栅极和返回布线并排、MOSFET 就可以放置在更远的位置。 正如您提到的、过于靠近不会为栅极电阻器留出空间、也不会为您的更改驱动速度留下任何选项。 这并不意味着它不会工作或工作更糟。 它没有灵活性。

    请注意、EVM 只是一个示例、由设计人员自行优化、在其他人看来可能并不完美、但它的工作方式和工作方式符合其设计规格。
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    Xie xie 作您的回复。  了解0欧姆。

    LO 和 HO 布线长度(无过孔)均为5mm。  您能评论一下这种短长度有多大优势吗?

    您可以修复文档吗?  从器件上的 BST 电容器和电阻器错误。  如果我是你,我是爱特梅尔高级 FAE,我会回答:

    "感谢您的反馈、我们将尽快修复文档。"

    Eval 可能只是一个示例、但 TI 的价格是150美元、"只是一个示例"需要大量资金。  组件不是意见、您的 LM5122决定了要使用的组件。  评估令人困惑。

    我的设计正在向前迈进。  实际上对此感到兴奋。

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    感谢您的反馈! :-)

    我对板上安装的那些未记录的组件感到惊讶。 为了帮助我更快地解决此问题、您是否能以良好的分辨率拍摄每侧(顶部和底部)的 EVM 图片、以便我可以阅读丝网并使用图片与我们的 EVM 设计人员进行讨论?

    再次感谢、祝您在设计中好运。
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    大家好、我的回答很好。 我已经指出了交换哪个电容器和电阻器。 丝绸是正确的。 布线错误。 您只需查看 TI 的文档和自己的评估板即可。 在您回答我的问题之前、请不要再提出任何问题。

    此外、大多数电阻器和电容器布局较差。 看看顶部的铜层。 大多数电阻器和电容器的接地焊盘都是一个块。 如果尝试解密连接、这会令人困惑。 糟糕的设计 每个组件都应具有自己的接地焊盘、阻焊层。 不会集中在一个较大的铜区域。 原因是初始焊接和任何返工都必须加热整个铜面积、这是巨大的。 这是严重的、尤其是与评估的目的是更改零件。 铜可能因应用过热而分层、以去除任何部件。
    这足以立即解雇。

    在0到10的刻度上、这是一个0板。 TI 从不应该发布此电路板。 批准该计划的经理是谁?

    我的问题:
    我的 LO 和 HO 布线长度(无需通孔)为5mm。 您能评论一下这种短长度有多大优势吗?
    也就是说、对于我的1.5 Ω Rg 内部 MOSFET、我绝对不需要 Rg 外部电阻器?
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    如果您没有电路板图片、我必须自己订购 EVM 进行审核。 此外,我希望看到这个论坛被用来讨论和解决问题,而不是用来指任何人。

    对于您的布线、短距离始终很好。 请注意、LM5122具有3A 强的驱动器、可能太强了、无法直接驱动 FET。 如果我是您、我会保留一个栅极电阻器位置、以防需要。 否则、您将失去灵活性、可能需要进行另一个 PCB 布局。 1.5欧姆可能不够。 如果您真的不想放置零欧姆电阻器、我建议您使用您选择的 MOSFET 替换 EVM MOSFET、并运行一些测试以查看在没有外部 Rg 的情况下开关性能是否正常。
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    大家好、好的、我很乐意为您拍照。 请让我一天。 但交换电容器和电阻器很小。

    感谢您对 Rg 电阻器的答复。 我知道。 大多数、如果不是所有 LM5122都有外部0欧姆 Rg。
    因此、由于 TI 已售出数百个且没有报告任何问题、至少对我而言、E2E 论坛中没有任何问题、而且您没有提及大量故障、因此必须确保没有 Rg 电阻器是正确的。 这对我来说是足够的证据。

    此外、我还提供了5、000块电路板、每个电路板都有4个由 FAN3227T (2A 驱动器)驱动的功率 MOSFET (共20K)、每个电路板的电流高达15安培、典型值为10A、无 Rg 电阻器。 无外部 Rg 电阻器导致的故障。
    其中一半直接由328兆位引脚驱动、从不会出现故障。

    Google "我是否需要 Rg MOSFET 电阻器"、您将发现巨大的误解错误应用的想法。 许多答案都是"不会伤害"。

    嗯、它可能会受伤。 0欧姆电阻器不是很零、加上走线长度、通过电阻器的计数变得更长。 焊盘上的焊料是劣质导体、加上电阻器会增加电感。

    让我确信的是、Zetex 的 xls 模型用于驱动功率 MOSFET。 它甚至显示了0.5欧姆的 Rg、使我的 MOSFET 导通/关断时间加倍。 1欧姆几乎是开/关的三倍。

    经过45年的设计、我想绝对确认 Rg 不是最好的。 这就是我问您的原因、TI 顶尖专家!
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     图片。  现在、我注意到 D3和 D4未填充、位于底部。  太糟糕了!  顶部有足够的空间。  我希望在我的设计中使用肖特基二极管。  不用担心、我不会犯 TI 所犯的错误、我会将它们放在首位。

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    错误--每次答复只能插入1个文件,解决此问题。 图片。 现在、我注意到 D3和 D4未填充、位于底部。 太糟糕了! 顶部有足够的空间。 我希望在我的设计中使用肖特基二极管。 不用担心、我不会犯 TI 所犯的错误、我会将它们放在首位。
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    感谢您的观看。 让我从您那里得到澄清:我看不到 R22、R23、R30和 R18被组装。 您是否已从原始 EVM 上移除这些电阻器?
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    请注意、我写道、BOM 中缺少这些组件。 这实在太糟糕了。 我尚未接触评估板。
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    好的、现在已经很清楚了。  感谢您的确认。