This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/704230/lm73606-efficiency-calculation
您好！
我在 当前设计中使用同步降压直流/直流转换器 LM73606。
我曾被冲击过计算直流/直流转换器电路的效率。
没有用于计算功率耗散损耗的"或"公式说明。
请求分享以下内容：
1.如何计算功率耗散损耗
2.如何设置开关频率的 Ton 时间"或"如何推导给定设计的开关频率的 Ton 时间。
预测早期响应。
谢谢、Durgesh
您好、Durgesh、
1.我建议使用本应用手册作为计算功率耗散损耗的参考： www.ti.com/.../slva390.pdf
本应用手册介绍了如何计算电感器导通损耗、MOSFET 导通损耗和 MOSFET 开关损耗。 如果您有任何疑问、请告诉我。 您还可以使用 Webench 工具、该工具将为 LM736006提供效率仿真。
LM736006数据表的第20页讨论了该主题。 可以根据以下公式预测给定设计的导通时间：
Vout=VIN*D
其中：
- D=Ton/TS
-TS=1/Fsw
此致、
Katelyn Wiggenhorn
您好 Katelyn、
感谢您的回答。
我可以从您推荐的应用手册中计算电感器、高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 导致的功率损耗。
但关于"开关损耗"、应用手册指出了这一点、但并未提供任何详细信息。
请求您分享同步降压直流/直流稳压器的"如何计算开关损耗"。
预测结束后的早期响应
谢谢、此致、
Durgesh Sabnekar
您好、Arief Hernadi 先生、
"应用手册"(PDF 文档)、您提到的内容符合以下要求：
计算高侧 MOSFET 的"开关损耗"
它不详细介绍以下内容：
计算低侧 MOSFET 的"开关损耗"。
此外、在为计算高侧 MOSDET 的开关损耗提供的公式中、它使用了以下术语：
tswHS_RISE -是栅极电压从阈值上升到平台间隔结束所需的时间；
2. tswHS_FALL -是栅极电压从平坦时间间隔开始下降到阈值所需的时间
这些时序似乎与开关频率周期的吨时间和 tOFF 时间不同。
在哪里可以获得有关时序的详细信息、"tswHS_RISe"和"tswHS_FRAE"。 我无法在数据表(LM73606的数据表)中找到相同的内容。
