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[参考译文] LM5117:低侧 NMOS 高功率损耗

Guru**** 665180 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5117, CSD19505KCS
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/703903/lm5117-low-side-nmos-high-power-loss

器件型号:LM5117
主题中讨论的其他器件: CSD19505KCS

您好!

我有一个直流/直流降压转换器- 48V IN、14V OUT。

由于不必要的导通、低侧 MOSFET 上会产生很大的功率浪费。

CH1 - 10m Ω 分流器上的电压。 CH2 -栅极电压低侧 NMOS Ch3 -栅极电压高侧 NMOS。

我想、由于不必要的导通、有一个大电流流经低侧 NMOS。 我尝试在低侧 NMOS 的栅极和源极之间放置额外的电容器、但几乎没有成功。

原理图与第22页      的典型应用大致相同:ti.com/lit/ds/symlink/lm5117.pdf

谢谢!

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    您好!

    您能否分享您的原理图以及为 FET 选择的组件?

    谢谢、
    Katelyn
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    两个 MOSFET 均为 CSD19505KCS。

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    您好!

    另一个需要考虑的问题是、您可以尝试减小缓冲器电容。

    谢谢、
    Katelyn
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    您好!

    由于不活动、我将关闭此线程。 如果您有任何其他问题、请发布。

    此致、
    Katelyn