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[参考译文] LM3478：SEPIC 转换器中的总栅极电荷规格和最小 Vin

admin
Guru**** 2493175 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3478, LM5022

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/698982/lm3478-total-gate-charge-specifics-and-minimum-vin-in-sepic-converter

器件型号：LM3478
主题中讨论的其他器件： LM5022

你好！

我设计了一个 DC-DC Sepic 转换器、输入电压为20-28V、输出电压为24V5A、开关频率为500kHz。 在原型开发中、我发现了一些问题。

1、选择开关 MOSFET IRFR540ZPBF 的输出电流为3A 时、散热问题非常严重
2. LM3478也变得很热。
3. SRF1260-6R8Y 可能不是正确的选择。
4.当 Vin 降至20V 以下时，高输入电流不会减小，同样在负载断开时也是如此。
5. 当负载突然增加时，输出电压下降，上升速度太慢。

我有一些问题：

在数据表中找不到 LM3478能够驱动的最大总栅极电荷的相关信息。 我需要这些参数来选择合适的 MOSFET。
2.为什么在低输入电压下电流不会随着断开的负载而减小？ 当输入电压低于特定值时、如何关闭转换器？
3.如何解决问题5？

感谢你的帮助

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    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    电感器肯定不支持您的满负载。 请更改为能够处理满负载的更大电感器。 请按照数据表和 SEPIC 设计应用手册(www.ti.com/.../snva168e.pdf) 选择合适的组件。

    栅极驱动峰值电流为1A (请参阅数据表最大额定值)。 有关 MOSFET 的选择、请参阅 SEPIC 设计应用手册的公式(10)。

    我们对问题4不是很清楚。 这意味着高输入电流。 您能更具体吗？ 您是否有示波器图片来展示这一点？

    问题5可能与您的环路速度有关、这可能会通过更快的环路来提高。 但是、您需要更具体地了解您希望达到的速度。
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    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！
    感谢您的回答。

    关于电感器、您认为 我们74485540101或 SRF1280A-8R2Y 可能是正确的选择吗？ 根据我的计算结果、对于非耦合电感、最小值为9.3uH、 ΔIL = 2.4A、IL (PEAK) 7.5A。如果不是、 您可以建议我使用合适的电感吗？

    公式10仅指 MOSFET 功率耗散、因此如果 MOSFET 能够耗散该功率、任何选择都是正确的；但我想、在特定开关频率下增加栅极电荷总量都需要更大的功率来驱动 MOSFET。 LM3478必须提供这种功率、这种功率是无限的、数据表或应用手册中没有任何相关信息；除非您告诉我、在任何容性负载和频率条件下、LM3478会自动限制通过 DR 引脚提供的功率、以避免过热。

    关于问题4、我已经进一步研究了。 问题不取决于输入电压、而取决于输入电流。 在特定输入电压(例如20V、2A)下限制输入电流时、稳压器无法达到适当的输出电压(也没有负载)、因为在上电时稳压器消耗所有输入电流、输入电压会下降 (示例中为4V)、输出电压不可稳(介于6V 和10V 之间)。 在这种情况下、栅极电压几乎是恒定的、等于输入电压、因此所有输入电流都流入电感器和 MOSFET。
    这不能成为问题吗？

    我已经解决了调整补偿滤波器的问题5。

    感谢你的帮助

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    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好！

    有人可以给我提供支持吗？

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    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我无法在 Wurth 的网站上找到74485540101的数据表。 如果 Isat 大于最坏情况下的最大峰值电流、则应该可以。

    关于 MOSFET 损耗、您知道栅极驱动峰值电流、然后您可以计算 MOSFET 导通和关断间隔、在此间隔期间、栅极电荷 Qg 完全供应或排出、然后您可以计算开关损耗。 您会发现、在 Qg 的特定水平之上、开关损耗将变得非常大、这会限制您的 FET 选择。

    关于问题4、您的电源似乎具有低电流限制。 您是否有过多的输出电容器、这些电容器在启动时需要消耗大量电流才能充电？ LM3478具有内部软启动。 如果这是一个问题、您应该考虑我们的其他器件能够对软启动进行编程、例如 LM5022。