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[参考译文] LM5035:如何降低基于 LM5035的半桥直流/直流电源的负载阶跃幅度

Guru**** 2492875 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5035

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/696174/lm5035-how-to-reduce-the-load-step-amplitude-of-lm5035-based-half-bridge-dcdc-power-supply

器件型号:LM5035

大家好、我仿真了 LM5035半桥演示板来制作一个300kHz 开关频率5V/10A 电源。
当我进行5A-10A-5A 负载阶跃实验时、我发现步长相对较大、室温下约为240mV、高温下约为400mV。我想将步长幅度降低至350mV。

我在室温下测试了电源的波特图。 交叉频率约为30kHz、相位裕度约为45度、输出电容为80uF。 我参考由 TI 电源技术研讨会提供的 slup340 "轻松实现开关模式电源转换器补偿"中的公式128:VP=(I1-I2)/(8*fc*Cout)=5A/(8*30kHz)*80uF)= 260mV、这非常接近室温下测得的240mV I。

但我不知道为什么在85度时负载跳变增加到400mV、这是我不想的。 根据公式、我将 Cout 增大到了160uF。 但是、负载跳转幅度未按预期下降。 一般而言、在高温下、它仅降至380mV、几乎没有成功。

请问原因是什么? 为什么在高温下、负载跳变幅度会大幅增加? 为什么只增加输出电容值、在高温下、负载跳变不能成为它的线性压降? 在高温下、交叉频率是否会降低? 如何进一步降低负载跳变? 我希望在高温下、它可以降低到350mV 甚至更低。


期待您的建议

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    您好、Zoujiangyilang、

    可能是电流传输比 CTR 在高温下降低、请参阅适用于 PS2811光耦合器的 NEC 数据表的第7页、并且控制环路的增益在85C 时较低。

    您能否发布增益相位图、因为我很惊讶您的穿越频率高达30kHz。

    此致

    Peter
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    穿越频率为32.2kHz,相位裕度为47.5度,增益裕度为-12.7dB @63.4kHz。
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    这是室温下的波特图。 在高温下、尚未对其进行测试。
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    我经常在参考书中看到、交叉频率设置在开关频率的十分之一到五分之一范围内。
    该电源的开关频率为300kHz、因此建议根据参考手册将交叉频率设置为30kHz 至60kHz。
    但是、我测试了通过某些产品的频率、这些产品通常较低、范围从几 kHz 到十几 kHz。 这是为什么? 是否应将交叉频率设置得更低、例如开关频率的十分之一到三十倍?
    这个问题也困扰着我。 我不知道如何确定交叉频率。
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    您可以说高温会降低光耦合器的电流传输比、从而降低环路增益、进而影响负载阶跃幅度。
    但是、手动公式指示仅 fc、Δ IO 和 Cout 的三个参数会影响负载阶跃幅度。
    那么、环路增益减小导致的负载阶跃幅度是否受环路增益的影响、从而减小 fc、进而使负载阶跃幅度增大? 是否理解了这一点?
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    我测试了另一个产品的负载阶跃和波特图。
    乘积的负载跳转值为2.3A、输出电容为44uF、交叉频率为15kHz、
    根据公式计算 Vp=(I1-I2)/(8*)。 FC*Cout)= 2.3A/(8*15kHz)* 44uF)= 425mV,但实际值为250mV。
    该公式偏差相对较大。
    我不知道为什么会出现如此大的偏差?
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    我认为您所说的是正确的。
    我用热气枪吹扫这个光耦合器、将其温度升高到85度、实际上负载阶跃的振幅增加了。
    抱歉、如何调整以下内容、是为了增加反馈网络的增益? 它用于抵消高温下光耦合器传输比的下降。
    谢谢你。
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    你(们)好

    您可以尝试减小与光耦合器二极管串联的电阻器值、这将增加反馈环路中的增益。

    此致

    Peter
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    感谢你的建议。
    我试过它、就像你说的那样。