您好！
两个月前、我发布了一个与 LM5085直流/直流转换器的 EMI 性能相关的主题。
我们使用它将直流电压从28V 转换为3、3V。 电子图如下：
我们必须尊重 CISPR25 EMC 标准的5类。 在这种配置下、我们会遇到辐射发射水平方面的一些问题。 (介于150kHz 和30MHz 之间)。
首先，要求是：
- fsw = 400kHz；
－输出波纹：100mV (未固定)；
-输出最大电流= 1、4A；
经过多项研究，我们测试了不同的选项：
1) 1)放置更大的栅极电阻 R4003、以降低换向步长：
我们设法超过27欧姆、但热和吸收结果不良、频谱水平相同
2)放置栅漏电容器：
我们不知道如何选择它的价值
3) 3)添加 RC 缓冲器：
我们认为没有必要、因为我们不会观察过冲(开关振铃)
4)更改开关频率 fsw：
由于 Rt 电阻、我们可以选择不同的开关频率。
经过几次测试、我们注意到、当我们使 Fsw 更高(> 500kHz)时、辐射发射水平似乎不太重要。
但我们注意到开关频率不稳定。 因此、我们想知道 LM5085是否具有高于已知频率的稳定性标准。
5)更改纹波网络(R4010、C4011和 C4016)：
我们认为、在降低输出纹波时、我们可以提高 EMC 性能。
我们找到了不同的教程来回答如何计算纹波调整，但我们不确定，特别是对于600kHz 开关...
6)放置屏蔽电感(L4000)：
我们注意到降压电感 L4000会产生大量磁场、因此我们要尝试使用 HILP 系列等屏蔽电感。
我们无法再次对电路进行布线、因此我们正在尝试寻找大量的硬件解决方案(更改组件)。
您是否知道处理此类问题的一些提示或建议？
非常感谢您的回答、
此致、
Olivier D.
