This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ40Z50:放电端接配置

Guru**** 2532100 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/717416/bq40z50-discharge-termination-configuration

器件型号:BQ40Z50

您好!

我要配置 BQ40z50、以便在达到定义的剩余容量时、CUVC 或 CUV 打开 FET。 目的是具有特定的容量预留、负载无法访问该容量。 但是、在 FET 处于打开状态之前报告0% SOC 也很重要、因此负载可以平稳地自行关闭。  

我的问题:

1) 1)我计划使用 CUVC 而不是 CUV 来定义 XDSG 阈值、因为我希望保留容量与放电电流无关、CUVC 似乎会尊重应用的放电电流。 这是最好的方法吗?

2) 2)我不确定如何配置"0%"阈值。 放电终止电压不考虑负载电流。 因此、在我看来、有两种可能的方法:  

a)将放电终端电压设置为略高于 CUVC 将触发点的值、同时达到最大值 电流在流动。 -->问题:对于低电流,我将过早报告0%。

b)将放电终止电压设置为"真正的空电芯电压"、从而低于相应的 CUVC 阈值、并为所需的保留空间使用"保留容量"。 -->问题:永远不会达到终端电压,也不会更新 FCC,因为 CUVC 以前会触发。  

到目前为止、我的假设是否正确? 哪一个选项是最好的?

谢谢、

Sebastian

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    选项 b 是最好的。 这是因为设置保留容量允许 IT 算法调整 RM 和 FCC、以便在报告的 RSOC 为0%时仍有一些容量、从而允许正常关机。 您的术语 V 将始终高于 CUVC 和 CUV 阈值。 您可以将其移至更靠近但仍低于 V 项。不建议将其配置为高于 V 项的阈值、原因与您提到的原因相同。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    在放电期间、我希望报告0%和 FET 打开之间的(时间或容量)差异很小。 a)中的问题是、该差异随负载电流而变化、因为项 V 是固定的。 这就是我考虑 b)的原因。

    不过、我不太理解您的建议。

    在 a)我建议设置术语 V > CUVC 并设置 RES Cap = 0。
    在 b)中、我建议设置术语 V < CUVC 并设置 RES Cap > 0。 (尝试使用 RES Cap 来补偿术语 V 不依赖于电流的事实)

    您建议术语 V > CUVC 和 RES Cap > 0、这两者都不对应 a)和 b)。

    我要从您的陈述中得到的是:在您对设置术语 V < CUVC 的问题之后、似乎我必须使用 a)并使用它、当以低电流放电时、在 FET 打开之前、SOC=0%将被报告为"很长"。

    谢谢、
    Sebastian
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    为什么要一直使用 DSG 直到 FET 断开? 您的电池的额定 DSG 电压通常高达3V。 在持续负载较高的情况下、IR 压降会降低您的可用容量。 因此、在您单击"终止"之前、您仍然可以使用 DSG。 保留保留容量允许的是正常关机、在达到0% RSOC 后、您仍将有一些容量可用于正常关机。 要使用 IT 算法准确估算容量的能力、您需要使用一个高于电池特征所针对的最低电压的 V 项。 对于通常为2.9或3V 的锂离子电池。 一旦您将术语 V 设置在其下方、它会导致您不需要的电量监测问题。 因此、建议您将 V 项保持在更高水平、并设置保留容量、以便能够在 DSG 之后关闭系统。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我希望 DSG 上升到 FET 断开的位置、否则我将失去更多可用容量。 我必须在大约3.3V (OCV)的电压下打开 FET、因为(在本例中)没有其他方法阻止负载访问剩余容量。

    Term Voltage 应设置为高于最低表征电池电压-->我可以满足此要求。
    术语电压应设置为通常高于2、9或3V ->我可以满足此要求。

    我的负载与报告的 SOC 无关。 但是、报告的 SOC 在某种程度上应该是可行的、因为用户可以看到它。 我希望用户看到、当 DSG 接近 FET 打开的点时、他几乎没有容量再利用。 这就是我想要将术语电压设置为略高于3.3V + IR 压降的原因。

    如果我将 Term Voltage 设置为如此高的电压值、这是否也会使监测算法混乱?

    谢谢、
    Sebastian
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您的化学 ID 是什么? 请将您的 gg 文件、Rsns 的值以及最大负载或 IR 压降发送给我、我可以向您提出更好的建议。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    e2e.ti.com/.../BQ40Z50_5F00_Config_5F00_18_5F00_01_5F00_08_5F00_30_5F00_TI.gg.zip

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    使用的化学 ID 为0x2019。 最大负载为2.7A
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    谢谢、希望在一周内听到有人发表此帖子。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Sebastian、
    监测计的目标是在 TermV + Delta Voltage +时报告0%(但在 ResCap 不为0时、它认为有必要提供保留容量)。
    电量监测计根据放电期间在负载电压中观察到的尖峰来了解 Delta 电压。 目的是在您达到 Terminate Voltage 之前报告为空、以便在另一个尖峰出现的最坏情况下、它不会突然崩溃到低于 TermV 并跳转到0%。
    如果您设置保留容量= 0、则不会添加任何额外的缓冲区。 保留容量的目的是、如果需要、并且您知道完成关闭所需的容量、则允许您在达到0%后有足够的时间进行受控关闭。

    我不确定我对您的问题是否理解得当、因此如果我没有正确解决问题、请尝试重新措辞。 您似乎应该将术语 V 设置为恰好高于 CUVC。 通常、CUVC 小于3V、您可以将 TermV 设置为3V、而不会出现任何问题。 电量监测计始终是保守的、这听起来像是您的投诉。 即使电量监测计报告为0%、您的系统是否可以仅向用户报告1%、然后一直运行到 CUVC?

    不幸的是、我们目前的负载非常重、许多人都不在办公室。 我们仍将访问您的文件、但可能需要另外一周时间。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Dmax:

    我认为、在这之前、我可能会误解了 TermV 的工作原理。 我认为、将 TermV 与负载下的电压进行比较。 因此、我认为、例如、如果 TermV = 3、3V、如果在放电期间电池电压达到3、3V、SOC 将设置为0%。

    但在您的描述中("将 TermV 设置为恰好高于 CUVC"(CUVC 使用几乎 OCV))、听起来更像是 TermV 指的是 OCV 值、固件会在放电期间检查相应的 OCV 电池电压是否会达到 TermV 值。

    哪一个是正确的? 在这个问题得到解答后、我可以继续讨论这个主题的其余部分。

    谢谢、
    Sebastian
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Sebastian、

    否、项 V 不像 OCV 值。

    在存在非零保留容量的情况下、我们可以使用 DOD 调整剩余容量、以适应保留容量、例如:FCC=remcap+rescap+passed chg。 这显然是从电池电压计算得出的、并从由项 V 提供的零基准中减去

    尖峰 DSG 上的项 V 也可通过差值电压进行调节。

    当您达到术语 V (已调整或未调整)时、容量会变为零。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Batt、

    好的、我认为我理解了。

    要重新表述一般目标:
    -我计划在相对较高的电压(大约3.3V)下使用 CUVC、以使电池打开具有定义剩余容量的 FET (原因是即使电池为"空"、我们也希望有更长的定义存储时间)。
    -我想以某种方式设置术语 V,以提供某种程度上有用的 SOC 输出。 所报告的 SOC 应在 CUVC 触发之前稍稍达到0%(最多、这适用于不同的放电电流值、但似乎不能完全实现(我了解到 V 项不尊重电流相关的压降))

    我将尝试您和 Dmax 的建议、并将术语 V sLighty 设置为高于 CUVC、然后我将看到电池的行为。

    由于在潜在客户中存在配置文件,因此我不会单击“问题已解决”:)

    谢谢、
    Sebastian
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Sebastian、

    对于4100mV 充电电压、您的 gg 文件配置看起来是正确的。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Batt、

    感谢您查看它。 是的、4100mV 是预期的充电电压。

    但是、在使用此配置进行测试期间、似乎存在问题。 看起来、FCC 和 True Full Charge E 的预测不再如预期的那样有效(至少是我所期望的)。 但首先、我需要更多的测试才能提供有用的信息。

    此致、
    Sebastian
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    好的。 如果您有需要我查看的数据、请回复此主题。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Batt、

    我对 CCCV 进行了一个完整的周期充电、然后放电、直到电池打开 FET、所有这些都是使用 BMStudio 进行记录的。 所有数据都位于随附的文件 T9.xlsx 中。

    总结:

    充电后 TrueRemQ 的计算增量= 2653mAh -->符合预期

     根据预期、在放电= 2608mAh ->后 TrueRemQ 的计算增量

    TrueFullChargeQ 放电后= 2004 ->为什么这么低?

    放电后的 FCC = 2004 ->为什么这么低?

    您可以看到、TrueFullChargeQ 和 FCC 在测试开始时甚至更低。 用于此测试的电池在制造后的 FCC 值约为2700mAh。 然后、它经历了几个周期、其中以高达16、4V 的恒定电流充电(无恒定电压相位)、然后放电、直至 FET 断开。 在第一个周期内、FCC 下降(请参阅 LAD ELA_T7.xlsx)。 然后在下一个到最后一个周期中、它上升。 在最后一次上升和本次测试开始之间的某处、FCC 再次下降。  

    什么可能会导致(在我看来) TrueFullChargeQ 和 FCC 的错误值(这也会使 SOC 值混乱)?

    e2e.ti.com/.../T9.xlsxe2e.ti.com/.../LAD_5F00_ELA_5F00_T7.xlsx

    谢谢、

    Sebastian

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    塞巴斯蒂安

    根据我在日志中看到的内容、我认为这是一个负载的伪影。 您正在使用加载选择为7的最大平均 I 上次运行。 将其更改为3。 您将获得更好的结果。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Batt、

    好建议。 我会尝试这个。

    谢谢、

    Sebastian

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您关注 Sebastian。