[参考译文] LM5116：降压转换器输出的是8V 而不是36V

Patrick、

您可以使用 WEBENCH 仔细检查原理图。 转至 LM5116产品页面并在 WEBENCH 框中输入您的规格(在右侧、向下滚动一个位)。 在 WEBENCH 中、您可以输入原理图值并使用建议工具检查补偿。 您可以在此处运行 simms 并检查设计的其他功能。

布局：

• 高 di/dt 环路具有较粗的布线(多边形、良好)、但环路面积较大(不良)。 电感器可以放置在 FET 旁边、AW3B/2B 可以移开。
• 2.2uF CIN 电容器应最靠近 FET。 它们处理瞬态中的最高频率、因此您希望尽可能缩短布线/回路(最小电感)。
• 一些网会在布局中看到未路由。 例如 RFBT 至 VOUT。
• SW 节点应更小。 它扩展到电路板的右侧、只是增加了面积、增加了电容(和电感)并会导致不良 EMI (并可能损害正常运行)。
• 有关更多布局指南、请查看 EVM 和数据表。

空气导线不是问题(但 SW 上的导线会使 EMI 变差)。

至于工作台调试、我建议检查开关节点。 它看起来是稳定的吗？ 其他引脚是否符合预期？

Sam

尊敬的 Sam：

感谢您的回复和有用提示！ 我第一次使用 WebBench。 我还使用 TINA 来仿真我的电路。 仿真结果对我来说看起来不错(请参阅所附的图像)、但物理电路的行为似乎有所不同。

根据您的建议、我更改了2.2uF CIN 电容的位置、并尝试减小 SW 节点的环路尺寸和尺寸。 但它对仍然为8V 的输出电压没有影响、因此大问题必须是其他问题。 R_FBT 通过 Airwire 3连接到 VOUT、通过 Airwire 1连接到 VIN、通过 Airwire 2连接 C_BOOT 到 SW (未在 Eagle 中连接、但在 PCB 上跳线)。

我还使用示波器检查了开关节点、您的假设是正确的、它一点也不稳定(请参阅图像)。 什么可能导致此问题？ 可能是连接有故障？ (始终难以用手焊接 SSOP)。

此致

Patrick

Patrick、

您可以尝试将 AW_3B FB 连接移至感应 VOUT 的位置。

您可以尝试在 GND 层之间的间隙处的多个点将 GND 层连接在一起。

您可以尝试许多操作、但最好四处探查哪些节点实际上会导致您的问题。 使用示波器检查每个引脚并与仿真进行比较。 您在哪里看到差异？

Sam

尊敬的 Sam：

再次感谢你的帮助。 我尝试将反馈连接移至更靠近输出的位置并连接 GND 层、但这也没有影响。 今天、我在低侧 MOSFET 上添加了一个缓冲器网络(如数据表中所建议)、尝试减少开关节点的纹波。 由于纹波频率约为1MHz、我使用了一个47欧姆电阻器和一个22nF 电容器。 当我再次测试电路时、输出电压现在仅为4、5V

在内置缓冲器的情况下、我使用示波器检查了几个节点。 我注意到 高侧栅极电压 HO (相对于 SW)相当低。 它仅´s 约25V 峰间值(但在 TINA 仿真中为9V)。 LO 栅极电压峰间值为6、88V、但脉冲非常短。 但该短路脉冲表明、电路正在尝试提高输出电压、对吧？ 您知道这里发生了什么吗？ 高侧开关/自举电路是否存在问题？ 有什么技巧可以让您更仔细地了解一下？

此致

Patrick

尊敬的 Sam：

我已检查并在 IC 上保持 VIN 稳定(55V)。 VCC 也很稳定、大约为7、4V

SW 电势似乎是一个问题。 它在n´t VIN 和 GND 之间不会像它应该的那样振荡、但在0和4、8V 之间大约振荡。 因此、高侧 FET 看起来不能正常工作。 SW 和 HO 之间的电压为2、5V (请参阅上图)、这是 FET 栅极源极电压吗？ 这在 Si7850 FET 阈值电压范围内、但5至10伏最好将其完全正确打开？

我已经为新的高侧 FET 更换了高侧 FET、认为我可能会损坏它、但结果是一样的。

是否有人知道为何何议员可以这么低呢？

谢谢、此致

Patrick

Patrick、

很高兴听到这个问题得到解决。 您是否想为我提供每个二极管的器件型号。 我想对此进行研究。

Sam

尊敬的 Sam：

当然、没问题。 首先、我使用了 SS28 ( https://de.farnell.com/上的器件型号2454187)