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[参考译文] TLV743P:VDO 压降电压

Guru**** 2491775 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV743P

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/703632/tlv743p-vdo-dropout-voltage

器件型号:TLV743P

您好!

对于 TLV743、我是否可以知道 Vin=1.8V 压降至 Vout=1.2V 时的典型 Vdo 压降电压是多少?

根据6.5电气特性下的规范(第5页)、在电流为300mA 时、Vout = 1.2V 时的最大压降电压为420mV。

注意:在客户应用中、1.8V 输入电压在某些条件下可能会降至1.4V、最大 Iout 为100mA、因此他们更喜欢具有极低压降电压的 LDO。

 

根据6.6典型特性(第8页)下的图7,是否正确地假设在100mA 期间 Vout = 1.2V 的最大压降电压为150mV (Tj=125celcius 时的最大值)?

图7和图8之间的区别是什么? 图8是否放大为 Vdo 详细表示?

如果图8采用更详细的 Vdo 表示形式、则该信息也与图7信息不符。

请提供建议。

谢谢、

Philip

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Philip、

    压降是 Vin - Vout 的测量值、将随电流线性增加。 如1.2V 输出所示、我们的电气特性表指定了-40 C 至85 C 时的最大压降为420mV、-40至125 C 时的最大压降为450mV。这两种规格都是在300mA 负载下测得的。

    图8、10和12上的封装条件似乎已从数据表中删除。 这些图适用于 DQN (X2SON)封装、其压降特性与 DBV 封装略有不同。

    您可以使用典型特性曲线来估算条件下的最大压降、也可以使用压降相对于负载呈线性并设置一个比率来计算和估算最大压降:

    Vdo100mA/100mA = Vdo300mA/300mA
    Vdo100mA =(450mV/300mA) x 100mA
    Vdo100mA = 150mV

    您可以看到、计算的估算值与曲线中的估算值一致。

    非常尊重、
    Ryan
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Ryan、

    感谢您的回复。
    对于 Tj=85°C 的计算、Vdo100mA=140mV、我的理解是否正确?

    是否会在图8、10和12的缺失封装 DQN (X2SON)封装中添加 TLV743P 规范的新修订版?

    谢谢、
    Philip
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    您好、Philip、

    根据典型特性曲线、我同意在100mA 下、对于85C、140mV 是一个很好的估算值。

    我们将在下一版数据表中添加缺失的封装条件。

    非常尊重、
    Ryan
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    您好、Ryan、

    感谢您的确认和反馈、理解。

    此致、

    Philip