[参考译文] BQ34110：在 bqstudio 中手动写入数据闪存不起作用

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/684404/bq34110-writing-data-flash-manually-in-bqstudio-does-not-work

器件型号：BQ34110
主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO

来自 TRM 的以下示例不起作用。我之前单击过一次校准切换。我在0处有"Flash Update OK Voltage"。我有版本1.3.8的 bqstudio。仪表板上的自动刷新和绿色箭头。可以点击"Read All"、bqstudio 会读取数据闪存并更新显示、因此与 EVM 的通信毫无疑问。

假设 data1位于地址0x4000、data2位于地址0x4002、且 data1和
Data2是 U2类型。要分别将 data1和 data2更新为0x1234和0x5678、请执行以下操作：
•将0x00 0x40 (小端字节序格式的 DF 地址)写入 ManufacturerAccessControl (0x3E、0x3F)。
•将0x12 0x34 0x56 0x78 (大端字节序格式的数据)写入 MACData (0x40–0x43)。写入
ManufacturerAccessControl()和 MACData()可在单个事务中执行。
•将0xAB (ManufacturerAccessControl()和 MACData()字节之和的补码)写入
MACDataSum (0x60)。
•将0x08 (4+ MACData()字节长度)写入 MACDataLen (0x61)。
•当 MACDataSum()和 MACDataLen()按顺序写入时、数据闪存写入将执行
(字写入)并已验证是否正确。

我已经尝试过应用工程师提供的另一个示例、但它仍然无法正常工作。我可以更改数据存储器窗格和 Write_All 上的值、该值有效。

7 年多前