主题中讨论的其他器件: TPS27S100
尊敬的专家:
我的客户正在评估 TPS4H160-Q1并有疑问。
如果您能提供建议、我将不胜感激。
--
为实现反向电流保护、图28和图31均安装了该电路。
在这种情况下、当来自 V+的噪声输入时、器件会在几 ms 内发生故障。
我在实验中发现了两个测量值、图28移除或添加了一个电容器。
使用反向电流保护是否有任何问题。
还有其他问题吗?
您能看到随附的文件吗?
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感谢您提前提供的出色帮助。
此致、
新一
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尊敬的专家:
我的客户正在评估 TPS4H160-Q1并有疑问。
如果您能提供建议、我将不胜感激。
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为实现反向电流保护、图28和图31均安装了该电路。
在这种情况下、当来自 V+的噪声输入时、器件会在几 ms 内发生故障。
我在实验中发现了两个测量值、图28移除或添加了一个电容器。
使用反向电流保护是否有任何问题。
还有其他问题吗?
您能看到随附的文件吗?
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感谢您提前提供的出色帮助。
此致、
新一
大家好、我正在努力更好地了解这种情况。 请 提供有关 以下陈述的意见:
直流电源电压施加在 V+和 COM-之间。
交流噪声施加在 V+和 V-之间。 幅度和频率是多少?
V+和 V-符号之间的背对背二极管代表什么?
TVS 钳位电压值是多少?
我知道如果移除 TVS、电路在实际接地网络和1nF 条件下工作正常
TVS 已安装电路工作正常、但接地网络中的电容为1uF
此致
您好、Mahmoud、
感谢你的答复。
关于在每个输出和 GND 网络上添加22nF 电容器、
这是否可以将模式1用于此抗噪测试?
这是否可以将模式2用于此抗噪测试?
我参考 SLVA957A 制作了一份报文、您可以确认是否出错。
感谢您的帮助。
此致、
新一
e2e.ti.com/.../Additional-question-about-TPS4H160_2D00_Q1.pptx
你好,新知-圣,这里是规则:
一组从 VS 输入到 COM 的良好去耦 X7R 电容器(C1) 、具有用于 IC 中 CP 开关所需的射频电流的短路环路。 这是为了改善发射。
从电路板上的电源输入到 V-的一组良好的 X7R 电容器(C2)。 此电容器不需要(不应该!) 靠近芯片和芯片 GND。 这通过将 进入电路板的射频电流分流至 GND 来实现射频抗扰性。
一个连接到电路板 GND 的大电解电容(在本例中、从 V+到 V-为47u)
此外、从 IC GND 到电路板 GND 的 X7R 电容器(可选)将有助于提高射频抗扰度。
模式1和模式2遵循规则、我认为它应该起作用。 在 SLVA957A 中、未实现接地网络、它类似于模式1。
此致、Mahmoud